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吴金;
中国电子学会;
阈值;
机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
机译:45 nm NMOS器件中输入工艺参数阈值电压变化的优化
机译:用LDD /侧壁氧化物隔离层结构模拟边缘电场对FD SOI nMOS器件阈值电压的影响
机译:工艺参数变化对45nm NMOS器件阈值电压的影响
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:对18nm HFO2 / TISI2 NMOS阈值电压优化对照因子的影响
机译:用于长时间低温高能物理实验的130nm nmOs晶体管的寿命研究。
机译:半导体器件分析与设计装置以及半导体器件分析与设计方法
机译:静态随机存取存储器单元具有双稳态电路,该双稳态电路具有两个具有各自阈值电压的nMOS晶体管和两个开关晶体管,其中一个阈值电压大于另一个阈值电压
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