NMOS器件低温热载流子效应的研究

摘要

本文研究了 NMOS 器件低温热载流子效应;在直流和交流应力下,测量和分析了低温(77K)下热载流子注入对 NMOS 器件性能的影响,并与室温下进行了比较。测试结果表明:热载流子注入引起 NMOS 器件阀电压漂移和跨导下降,低温(77K)下比室温(300K)下严重;交流应力下比直流应力下严重。最后,讨论了物理机理。