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CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计

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摘要

采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制.

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来源
《半导体学报》 |2005年第8期|1619-1622|共4页
作者
杜鸣; 郝跃; 朱志炜;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
ESD; GG-NMOS; 人体放电模式; 栅耦合;

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