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标准CMOS或BICMOS IC工艺中用于实现高电压输入/输出的ESD保护

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摘要

本申请涉及一种ESD保护的方法，包括：a)提供ESD-二极管，其包括阳极和阴极，并且具有正向偏压V

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/02 申请公布日:20120208 申请日:20110622

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20110622

实质审查的生效
2012-02-08

公开

公开

1. 标准CMOS或BICMOS IC工艺中用于实现高电压输入/输出的ESD保护 [P] . 中国专利： CN102347328A . 2012-02-08
2. 在低电压BICMOS工艺中实现高电压IO驱动器的技术 [P] . 中国专利： CN104518778A . 2015-04-15
3. ESD Protection in a Standard CMOS or BiCMOS IC Process to Enable High Voltage Input/Outputs [P] . AU2011203023A1 . 2012-01-19

机译：采用标准CMOS或BiCMOS IC工艺的ESD保护，可实现高压输入/输出
4. ESD protection in a standard cmos or bicmos ic process to enable high voltage input/outputs. [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2400546A1 . 2011-12-28

机译：标准cmos或bicmos ic过程中的ESD保护，以实现高压输入/输出。
5. ESD PROTECTION IN A STANDARD CMOS OR BICMOS IC PROCESS TO ENABLE HIGH VOLTAGE INPUT/OUTPUTS [P] . 美国专利： US2011310516A1 . 2011-12-22

机译：标准CMOS或BICMOS IC过程中的ESD保护，以实现高压输入/输出