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IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
召开年:
2015
召开地:
Phoenix, AZ(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
An interferer-tolerant receiver with active feedback for cognitive radio applications
机译:
具有有源反馈的容忍干扰的接收机,用于认知无线电应用
作者:
Rezaei Vahid Dabbagh
;
Bajestan Masoud Moslehi
;
Hedayati Hajir
;
Entesari Kamran
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
CMOS integrated circuits;
cognitive radio;
radio receivers;
CMOS;
LO harmonics mixing;
active feedback;
cognitive radio;
frequency 54 MHz to 864 MHz;
heterodyne conversion;
interferer-tolerant receiver;
noise canceling technique;
Computer architecture;
Harmonic analysis;
Linearity;
Mixers;
Noise measurement;
Receivers;
Sensitivity;
active feedback;
cognitive radio;
high IIP3;
linear receiver;
out-of-band IIP3;
2.
0.39–0.45THz symmetric MOS-varactor frequency tripler in 65-nm CMOS
机译:
65nm CMOS中的0.39–0.45THz对称MOS变容二极管频率三倍频器
作者:
Ahmad Zeshan
;
Insoo Kim
;
Kenneth K.O.
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
CMOS integrated circuits;
MOS capacitors;
frequency multipliers;
passive networks;
submillimetre wave diodes;
submillimetre wave integrated circuits;
varactors;
EIRP;
SVAR;
accumulation-mode symmetric MOS varactor;
broadband passive frequency tripler;
bulk CMOS process;
effective isotropically radiated power;
frequency 0.39 THz to 0.456 THz;
loss 15.2 dB;
on-chip input driver amplifier;
on-chip patch antenna;
size 65 nm;
Antenna measurements;
Chlorine;
Harmonic analysis;
Patch antennas;
System-on-chip;
Varactors;
CMOS;
THz;
accumulation-mode;
broadband;
frequency tripler;
multiplier;
symmetric varactor;
3.
Low-power injection-locked zero-IF self-oscillating mixer for self-powered millimeter-wave identification (MMID) active tag in 65-nm CMOS
机译:
低功耗注入锁定零中频自激振荡混频器,用于65nm CMOS中的自供电毫米波识别(MMID)有源标签
作者:
Burasa Pascal
;
Constantin Nicolas
;
Ke Wu
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
CMOS integrated circuits;
field effect MIMIC;
low-power electronics;
millimetre wave mixers;
voltage-controlled oscillators;
CMOS process;
LC cross-coupled VCO;
MMID active tag;
SOM;
frequency 40 GHz;
injection-locking;
loss 29 dB;
low-power consumption;
low-power injection-locked zero-IF self-oscillating mixer;
power 280 muW;
reader carrier frequency;
self-powered millimeter-wave identification active tag;
size 65 nm;
Baseband;
CMOS integrated circuits;
Mixers;
Oscillators;
Power demand;
Radiofrequency identification;
Transistors;
CMOS;
RFID;
battery-free;
injection-locking;
millimeter-wave identification (MMID);
mm-wave VCO;
self-oscillating mixer (SOM);
self-powered;
4.
0.4–6 GHz,17-dBm B1dB, 36-dBm IIP3 channel-selecting, low-noise amplifier for SAW-less 3G/4G FDD receivers
机译:
0.4-6 GHz,17 dBm B1dB,36 dBm IIP3通道选择,低噪声放大器,用于无SAW的3G / 4G FDD接收器
作者:
Cheng-kai Luo
;
Gudem Prasad S.
;
Buckwalter James F.
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
3G mobile communication;
4G mobile communication;
UHF amplifiers;
UHF filters;
cellular radio;
diversity reception;
feedback amplifiers;
low noise amplifiers;
microwave amplifiers;
microwave filters;
microwave receivers;
wireless channels;
CS-LNA feedback network;
IIP3 channel-selecting low-noise amplifier;
N-path filter;
OOB IIP3;
SAW less 3G-4G FDD Receiver;
SAW- less diversity path receiver;
frequency 0.4 GHz to 6 GHz;
frequency-division duplexing cellular systems;
out-of-band IIP3;
power-handling capability;
transmit blocker suppression;
Band-pass filters;
Capacitors;
Clocks;
Distortion;
Maximum likelihood detection;
Receivers;
Switches;
CMOS;
LNA;
Low-noise amplifier;
N-path filter;
SAW-less receiver;
blocker suppression;
5.
Power supply bypass capacitors—Myths and realities
机译:
电源旁路电容器—神话与现实
作者:
Kuhn William B.
;
Fund Andrew D.
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
capacitors;
integrated circuit bonding;
integrated circuit design;
power supply circuits;
printed circuit design;
radiofrequency integrated circuits;
PCB;
RFIC bondpad;
broadband AC ground;
graduated-size capacitor;
high-frequency analog circuit;
high-frequency digital circuit;
power integrity effect;
power supply bypass capacitor;
Capacitors;
Impedance;
Inductance;
Integrated circuit interconnections;
Integrated circuit modeling;
Resonant frequency;
System-on-chip;
Bypass;
Capacitor;
IC;
Power Integrity;
RFIC;
Supply;
6.
4-port RF performance assessment and compact modeling of UTBB-FDSOI transistors
机译:
UTBB-FDSOI晶体管的4端口RF性能评估和紧凑建模
作者:
Barbe Jean-Charles
;
Lucci Luca
;
Siligaris Alexandre
;
Vincent Pierre
;
Faynot Olivier
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
S-parameters;
SPICE;
UHF transistors;
elemental semiconductors;
microwave transistors;
semiconductor device models;
silicon;
silicon-on-insulator;
4-port RF performance assessment;
4-port S-parameter RF extraction;
RF small-signal performance;
SPICE model;
Si;
UTBB-FDSOI transistor;
back-gate cut-off frequency extraction;
frequency 100 MHz to 24 GHz;
frequency 80 GHz;
front-gate cut-off frequency extraction;
size 28 nm;
ultrathin body and box FDSOI transistor;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
Performance evaluation;
Radio frequency;
Transistors;
Transmission line matrix methods;
FDSOI;
MOS;
RF;
UTBB;
four-port;
model;
7.
An active interference canceler with reduced harmonic response and synthesizer tuning range
机译:
具有降低的谐波响应和合成器调谐范围的有源干扰消除器
作者:
Wei-Gi Ho
;
Singh Vineet
;
Forbes Travis
;
Gharpurey Ranjit
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
frequency synthesizers;
harmonics suppression;
interference suppression;
low noise amplifiers;
low-pass filters;
mixers (circuits);
wideband amplifiers;
HRM;
LO fundamental;
broadband LNA;
feedback-based active interference cancellation technique;
frequency synthesizer;
gain 1 dB;
gain 8 dB to 13 dB;
harmonic rejection mixer;
low-pass filter;
reduced harmonic response;
size 65 nm;
synthesizer tuning range;
Baseband;
Clocks;
Harmonic analysis;
Interference cancellation;
Power harmonic filters;
Switches;
harmonic rejection mixer;
interference cancellation;
notch filter;
8.
The MATRICs RF-FPGA in 180nm SiGe-on-SOI BiCMOS
机译:
180nm SiGe-on-SOI BiCMOS中的MATRICs RF-FPGA
作者:
Kushner Lawrence J.
;
Sliech Kevin W.
;
Flewelling Gregory M.
;
Cali Joseph D.
;
Grens Curtis M.
;
Turner Steven E.
;
Jansen Douglas S.
;
Wood Joseph L.
;
Madison Gary M.
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
BiCMOS integrated circuits;
Ge-Si alloys;
application specific integrated circuits;
bipolar MMIC;
elemental semiconductors;
field programmable gate arrays;
flip-chip devices;
integrated circuit noise;
phase noise;
silicon;
silicon-on-insulator;
MATRIC RF-FPGA;
NRE;
RF circuit reconfigurable array;
RF subsystems;
SOI FET;
SiGe;
chip-scale flip-chip bump packaging;
custom RF ASIC;
development cycle;
differential signalling;
fixed-function RF system;
flexible switch fabric;
high-linearity amplification;
high-resistivity SOI substrate;
low-loss switching;
microwave array technology-for-reconfigurable integrated circuits;
on-chip RF isolation;
phase-noise frequency generation;
silicon-germanium HBT;
silicon-germanium-on-SOI BiCMOS process;
Baseband;
Generators;
Microwave FET integrated circuits;
Microwave filters;
Microwave integrated circuits;
Radio frequency;
Voltage-controlled oscillators;
N-path filter;
PLL;
RF-FPGA;
SiGe-on-SOI BiCMOS;
reconfigurable;
switch matrix;
9.
Low cost Ka-band 7W GaAs PHEMT based HPA with GaN PHEMT equivalent performance
机译:
具有GaN PHEMT等效性能的低成本Ka波段7W GaAs PHEMT基HPA
作者:
Fujii Kohei
会议名称:
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》
|
2015年
关键词:
III-V semiconductors;
MMIC power amplifiers;
compensation;
gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
power combiners;
wide band gap semiconductors;
GaAs-GaN;
Ka-band PHEMT HPA;
MMIC high power amplifier;
amplitude compensation;
compact die;
efficiency 27 percent;
four stage amplifier;
frequency 27.5 GHz to 30 GHz;
gain 24 dB;
output power combiner;
power 7 W;
power 8.3 W;
super low loss phase compensated interstage matching network;
Frequency measurement;
Gallium arsenide;
Gallium nitride;
MMICs;
PHEMTs;
Power amplifiers;
Power generation;
FET Amplifiers;
HEMT;
Power amplifiers;
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