响应面法优化干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的培养条件

摘要

采用响应面法(RSM)对影响干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的培养条件进行了优化.以胞外多糖产量为指标,通过单因素试验初步得到干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的培养条件,再根据Box-Benhnken中心组合实验设计原理,在单因素试验基础上采用3因素3水平的响应面分析法,建立了胞外多糖产量与各影响因子的回归方程,并得到以胞外多糖产量为响应值的响应面图和等高线图,进而得出干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的优化培养条件:接种量4%,发酵温度31.5℃,发酵时间32 h.验证试验结果表明,在此条件下胞外多糖的产量可达157.46mg/L,比优化前产量提高了30/81%.