短沟MOS器件GIDL漏电的改善

摘要

随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈.研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制.通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案.