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超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究

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摘要

理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明:边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2011年第12期|133-136|共4页
作者
胡仕刚; 吴笑峰; 席在芳;
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作者单位

湖南科技大学信息与电气工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
直接隧穿; MOSFET; 栅氧化层;

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