部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析

贺威; 张正选

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部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析

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通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入射点的不同位置与瞬态电流的关系曲线.从理论上提供了一种分析器件SEU的手段.

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来源
《微电子学与计算机》 |2010年第12期|138-141|共4页
作者
贺威; 张正选;
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作者单位

深圳大学电子科学与技术学院;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;制造工艺;
关键词
单粒子翻转; 绝缘体上硅; 模型;

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