SiGe外延层中硼注入和退火

摘要

对采用快速加热、超低压－化学汽相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０１４ｃｍ－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热退火（ＲＴＡ）和稳态炉退火。结果表明，ＲＴＡ优于稳态炉退火，其最佳条件是：退火时间为１０ｓ，退火温度范围为７５０℃～８５０℃，或者退火温度为７００℃，时间为４０ｓ，基本可消除由注入引起的损伤，获得约３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ的空穴迁移率以及近１００％的激活率。