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关安民; 朱南昌;
不详;
离子注入; 硅; 损伤; 退火; 硼离子;
机译:退火对硼高能离子注入引起的硅中缺陷的影响
机译:硅中低温BSi分子离子注入的快速热退火后的硼深度分布和残余损伤
机译:高能Kr和Ne离子注入6H-SiC中晶格损伤的产生和退火行为
机译:通过高能硼离子注入硅吸收铁和表面氧
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:离子注入和闪光灯退火掺杂的锗中的电子浓度极限
机译:快速热退火过程中硼离子注入硅的分步方法
机译:激光退火对离子注入和硼沉积硅中硼重新分布的影响
机译:离子注入碳防止硅在硼中扩散的方法
机译:硅中硼离子注入层的低温活化方法
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