Ge; ion implantation; flash lamp annealing; n-type doping; Raman spectroscopy;
机译:通过离子注入和闪光灯退火产生的重掺杂镓的锗层:结构和电激活
机译:通过离子注入和闪光灯退火产生的重掺杂镓的锗层:结构和电激活
机译:慢正电子注入光谱法(spis)探测闪光灯退火(fla)后Ge中的注入引起的开放体积缺陷
机译:使用固态源掺杂和闪光灯退火对锗SDE进行高掺杂浓度的纳米深结
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:磁控溅射和闪光灯退火形成NiGe薄膜
机译:通过离子注入和闪光灯退火掺杂Ge的电子浓度极限
机译:离子注入掺杂的大带隙半导体的光学和电子特性