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许金铃; 陈城钊; 詹镇业; 陈佳仪; 王久川; 曾锦城; 陈景乐;
韩山师范学院 物理与电子工程学院 广东 潮州 521041;
n型锗材料; 砷离子注入; 快速热退火;
机译:通过离子注入和闪光灯退火产生的重掺杂镓的锗层:结构和电激活
机译:离子注入和激光热退火对Ge重掺杂N型锗的低温失活
机译:应变锗-锡(Ge1-xSnx)外延层中的BF2 + sup>离子注入和掺杂剂激活
机译:掺杂和未掺杂氧化硼/氧化磷,沉积和退火的PECVD锗硅酸盐玻璃的溶解度,电性能和应力状态的表征。
机译:离子注入和闪光灯退火掺杂的锗中的电子浓度极限
机译:离子注入和激光热退火后,砷在锗中的扩散和电活化
机译:硅中砷离子注入和退火的原子尺度模拟
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:退火碳化硅以激活离子注入掺杂剂的方法
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