公开/公告号CN113403488A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州宁达贵金属有限公司;
申请/专利号CN202110693811.4
发明设计人 袁承乾;
申请日2021-06-22
分类号C22B41/00(20060101);C22B7/00(20060101);C22B1/00(20060101);C01G17/02(20060101);
代理机构32522 镇江北宸星专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈晓
地址 225000 江苏省扬州市江都区宜陵镇工业园区
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22B41/00 专利申请号:2021106938114 申请公布日:20210917
发明专利申请公布后的驳回
机译: 用絮凝法回收溶解状态中的锗,包括选择有机化合物以形成络合物,并在络合物锗中添加季胺以轻松去除锗
机译: 锗层,锗层,具有锗层的基质,锗纳米粉,具有纳米锗的基质,层合物,薄膜晶体管和半导体元件的制造方法
机译: 制备外延硅锗层的方法和包括外延砷原位掺杂的硅锗层的集成半导体器件