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用超高真空CVD优化锗硅外延材料中的锗分布

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本文改进了自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVDSGE500)的气路系统,使之拥有生长渐变Ge分布的SiGe材料的能力.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)测试技术,研究了并优化了外延生长的各个参量,最终得到了优化了Ge分布的SiGe材料.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|404-407|共4页
会议地点北京
作者
刘佳磊; 刘志弘; 陈长春;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;
关键词
超高真空化学气相沉积; 渐变Ge分布; X射线双晶衍射; 二次离子质谱; 外延生长; SiGe材料;

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