砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究

摘要

应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当ＴＡ高于４４０℃，晶格质量陡峭地下降，ＴＡ越高，越多的Ａｓ占据Ｔｅ位作为Ｔｅ位受主，样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。