碲化镉

摘要： Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Zn与Te数值比、MEE生长温度、Zn与Te束流强度值进行研究,设计了三组实验,并使用高分辨X光衍射仪、白光干涉仪和红外傅里叶光谱仪测试外延薄膜生长结果,总结MEE生长参数对复合衬底材料质量影响,通过实验得到最优的外延工艺条件,提高材料质量。

摘要： 文章针对黑龙江省地震局无人值守地震台站在无法进行市电供电的情况下,采用专用薄膜太阳能电池和专用最大功能太阳能控制器以及风力发电互补装置将自然界的太阳能和风能转化为电能,通过对UPS可持续性充电来为现场的地震设备供电以保证地震计采集的观测数据和通信数据顺利传输。文章对整个发电系统的组成、站点的施工要求和系统参数都有详细的介绍。

摘要： 采用分子束外延技术(MBE)制备了碲化镉(CdTe)原位钝化的中波碲镉汞(HgCdTe)材料。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1~2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。

摘要： 通过研磨、氧化酸浸、还原等步骤进行碲化镉废料中碲和镉元素的回收工艺研究。研究表明,酸浸温度80°C,硫酸浓度80 g/L,酸浸时间2 h,物料质量与双氧水质量比值1.3,亚硫酸钠质量与物料质量比值1.5,硫化钠质量与物料质量比值1.6,在此条件下碲的回收率达到93%以上,镉的回收率达到95%以上。

摘要： 武汉拓材科技有限公司成立于2015年10月10日,坐落在中国光谷——葛店国家经济开发区,是一家专注于研发、生产、销售高纯半导体材料的高新技术企业。主要生产的产品有纯度从99.99%到99.999999%之间的碲(Te)、镉(Cd)、铟(In)、镓(Ga)、锑(Sb)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铝(Al)、锌(Zn)、磷(P)等十五种高纯元素,以及磷化铟、碲化镉、锑化镓、氧化锗、氧化镓、氧化铟等二十余种高纯化合物材料,也可以根据需求定制其他高纯材料。

摘要： 采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400°C退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm^(2)。

摘要： 介绍了国内外光伏建筑一体化(building integrated PV,BIPV)的应用现状,以浙江省杭州市某综合能源大厦项目为案例,分析了采用碲化镉薄膜光伏组件的BIPV项目在实际工程应用中的布局与设计、建设施工与调试等要点,并进行了节能减排分析。研究发现,该项目节能减排效益显著,具有良好的示范意义。

摘要： 随着我国“碳达峰”“碳中和”目标的提出,各行各业向绿色低碳转型。建筑作为碳排放大户,无疑成为推动“双碳”目标实现的重要影响因素。在此背景下,建筑行业绿色转型发展使太阳能建筑一体化迎来新的发展机遇。《城市建筑空间》杂志就“双碳”背景下的太阳能光伏建筑一体化发展现状及趋势采访了龙焱能源科技(杭州)有限公司(以下简称龙焱能源)创始人吴奔先生。机遇与挑战并存U A S:在“双碳”目标下,建筑实现“碳中和”已成为重点任务。

摘要： 以碲化镉废料为原料,采用氧化酸浸工艺回收碲.结果表明,在浸出温度为75°C、硫酸浓度2.5mol·L-1、双氧水加入量为原料质量的0.6倍、液固比为5:1、浸出时间为120min、搅拌转速为200r·min-1条件下,碲的回收率为98.20％.

摘要： 针对大尺寸顶部衬底玻璃基薄膜光伏组件的荷载承受能力进行了研究,以尺寸为1200 m m×1600 m m的大尺寸玻璃基碲化镉(CdTe)薄膜光伏组件为研究对象,在不同安装方式下对该光伏组件进行了荷载测试,同时采用有限元分析,利用FreeCAD软件对不同荷载下CdTe薄膜光伏组件前板玻璃内的应力分布进行了数值模拟.研究结果表明,在不同安装方式下,CdTe薄膜光伏组件承受荷载的能力存在明显差异;但即使CdTe薄膜光伏组件采用非钢化的透明导电膜(TCO)玻璃,若在合理的安装方式下,CdTe薄膜光伏组件完全可以承受正面4800 P a、背面2400 P a的静荷载.因此,在实际应用中,需要根据不同应用场景对荷载承受能力的具体要求合理选择CdTe薄膜光伏组件的安装方式.

摘要： 目的：探讨碲化镉量子点(CdTe QDs)对小鼠肝脏的氧化应激及其DNA损伤作用。方法：将30只雄性ICR小鼠随机分成5组，即阴性对照组、0．375、37．5、375nmol／ml染毒细和阳性对照组，染毒24h后断头处死动物。用低温电子顺磁共振(EPR)检测小鼠肝脏组织自由基水平的变化；用单细胞凝胶电泳(SCGE)检测小鼠肝DNA损伤。结果：染毒24h时后，随着CdTe ODs染毒剂量的增加，低、中、高染毒组的小鼠肝脏组织自由基水平与对照组比较有统计学意义的增高；小鼠肝细胞SCGE检测彗星尾长、Olive尾矩、尾DNA％、头尾比与对照组比较具有统计学意义的增高。结论：CdTe QDs可导致小鼠肝细胞产生氧化应激和DNA损伤，并有一定的剂量效应关系。

摘要： 本文论述离子色谱法测定太阳能电池膜材料高纯碲化镉中的痕量氯。硝酸分解样品。强碱条件下碳酸镉沉淀与氯离子分离。碲化镉晶粉中氯的含量为0.00097％；方法回收率范围为91.52 - 107.7％；重现性均值RSD=3.15%(N=6)。方法较简便，重现性好，灵敏度高,痕量分析结果的准确度亦较高。

摘要： 多晶CdTe 薄膜太阳电池以其固有的材料性能和生产高效低成本PV 组件的能力吸引了大量资本的投入,促进了CdTe 薄膜太阳电池技术的产业化.本报告回顾了在龙焱能源科技(杭州)实施多晶CdTe 薄膜太阳电池产业化的一些结果.龙焱已经先后建成了R&D 实验线、中试线和生产线. 在R&D 实验线和中试线上已经制备出效率大于14%的3″×3″小组件,并且成功研发了一系列新型的生产工艺和关键设备,建成了一条全自动化的30MW CdTe 薄膜PV 组件生产线.生产线已显示高的生产率及优品率.所生产的0.6×1.2m2的组件平均效率超过11.4%,并具有好的稳定性.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： MBE方法外延Si基复合衬底过程中,由于Si衬底材料与外延的复合衬底CdTe材料存在较大的晶格失配,以及外延过程中由于湿化学处理后保护层的热脱附过程不可避免地产生的热应力导致Si基复合衬底产生宏观形变.本文通过实验,研究了Si片湿化学保护层的热脱附温度和外延CdTe的膜层厚度与外延后Si基复合衬底形变量的关系.

摘要： 介绍了GaAs和CdTe太阳电池参数随光强变化关系的对比与研究，理想太阳电池效率与光照强度函数关系式的推导与验证.GaAs与CdTe太阳电池结构。

摘要： 本发明属于薄膜太阳能电池领域，具体涉及制备碲化镉薄膜太阳能电池碲化镉吸收层的电化学沉积方法。本发明的技术方案为：制备碲化镉薄膜太阳能电池碲化镉吸收层的电化学沉积方法，所述CdTe吸收层沉积的过程为间歇式沉积。该技术方案消除CdTe和顶针接触电极之间的附着力，使得移除的顶针电极上不附有任何CdTe化合物，因此解决了现有电化学沉积法生产太阳能电池的装置和方法中太阳能电池的单位面积里参与光电转换的有效面积小，影响了太阳能电池的转换效率的问题。

摘要： 本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220°C保温反应5-20min，随后升温至230-245°C保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。

摘要： 本发明涉及一种卤素掺杂碲化镉的制备方法、卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。所述卤素掺杂碲化镉的制备方法包括：将5N镉与5N碲按照第一规定质量比称料装入反应器中，以得到镉碲混合物，所述第一规定质量比是所述5N镉与所述5N碲之间的质量比；向所述反应器中按照第二规定质量比加入4N或以上的卤化镉，所述第二规定质量比是所述卤化镉与所述镉碲混合物之间的质量比；将所述反应器进行抽真空至规定真空度并密封；将密封的所述反应器放入一加热器内，进行升温处理；以及对升温处理后的密封的所述反应器进行冷却处理。所述卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法采用所述卤素掺杂碲化镉的制备方法获得的卤素掺杂碲化镉。

摘要： 本发明公开了在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法，用于解决现有的化学镀方法制备电极时结合力差的技术问题。技术方案是利用氯金酸(HAuCl

摘要： 本发明涉及太阳能发电领域，特别涉及轻质柔性碲化镉薄膜的制备方法和轻质柔性碲化镉基片，如下步骤：S1.选择表面沉积硫化镉层的柔性超薄导电玻璃作为电镀的基底，用平面钛板吸盘真空吸附导电玻璃背面，以将导电玻璃固定；S2.将吸附固定的导电玻璃的导电面朝下放置在特殊结构的电镀槽中，导电玻璃为电镀时的阴极，电解槽的底部钛板为阳极，钛板上安装阵列排布的弹性针并连接阴极导线，针尖与导电玻璃的导电层接触；S3.电解槽循环通入电镀液，启动电镀，获得轻质柔性碲化镉薄膜基片。本发明所提供的柔性碲化镉薄膜基片的制备方法，制备的电池基片具有轻质、柔性和组成厚度均匀的特点，符合未来光伏建筑一体化中对柔性光伏太阳能电池的要求。

摘要： 本发明实施例提供一种碲化镉太阳能电池制备方法及碲化镉太阳能电池，本发明实施例提供了一种碲化镉太阳能电池制备方法，所述方法包括：在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上沉积一层硫化镉CdS薄膜；在硫化镉CdS薄膜上沉积一层碲化镉CdTe薄膜；在氯化镉CdCl

摘要： 本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220°C保温反应5-20min，随后升温至230-245°C保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。

摘要： 本发明属于薄膜太阳能电池领域，具体涉及制备碲化镉薄膜太阳能电池碲化镉吸收层的电化学沉积方法。本发明的技术方案为：制备碲化镉薄膜太阳能电池碲化镉吸收层的电化学沉积方法，所述CdTe吸收层沉积的过程为间歇式沉积。该技术方案消除CdTe和顶针接触电极之间的附着力，使得移除的顶针电极上不附有任何CdTe化合物，因此解决了现有电化学沉积法生产太阳能电池的装置和方法中太阳能电池的单位面积里参与光电转换的有效面积小，影响了太阳能电池的转换效率的问题。

摘要： 一种沉积碲化镉薄膜设备及其沉积碲化镉薄膜的方法，其中的喷涂装置包括进气进料管、扩散加热管和外套管；所述外套管内套设所述扩散加热管，所述扩散加热管之内再套设所述进气进料管；所述进气进料管沿长度方向开设有两排进气进料孔，所述两排进气进料孔以所述进气进料管的轴心线对称布置；所述扩散加热管沿长度方向开设有两条扩散狭缝，且所述两条扩散狭缝不朝向所述两排进气进料孔，所述两条扩散狭缝以所述扩散加热管的轴心线对称布置；所述外套管沿长度方向开设有两条喷涂狭缝，且所述两条喷涂狭缝不朝向所述两条扩散狭缝，所述两条喷涂狭缝以外套管的轴心对称布置。本发明可以同时对两块衬底沉积碲化镉薄膜，因此可以大幅度提高生产效率。

摘要： 本发明涉及一种卤素掺杂碲化镉的制备方法、卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。所述卤素掺杂碲化镉的制备方法包括：将5N镉与5N碲按照第一规定质量比称料装入反应器中，以得到镉碲混合物，所述第一规定质量比是所述5N镉与所述5N碲之间的质量比；向所述反应器中按照第二规定质量比加入4N或以上的卤化镉，所述第二规定质量比是所述卤化镉与所述镉碲混合物之间的质量比；将所述反应器进行抽真空至规定真空度并密封；将密封的所述反应器放入一加热器内，进行升温处理；以及对升温处理后的密封的所述反应器进行冷却处理。所述卤素掺杂碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法采用所述卤素掺杂碲化镉的制备方法获得的卤素掺杂碲化镉。