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反应溅射α-ＧｅＮ＃-ｘ：Ｈ薄膜的喇曼和电子自旋共振谱

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来源
《中国物理学会第七届全国半导体物理会议》|1989年|394-395|共2页
会议地点广州
作者
陈光华;
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作者单位

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体能带结构;
关键词
溅射;

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