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李玉国; 薛成山;
山东师范大学半导体研究所;
高能离子注入; 辐射损伤分布; 退火; 铒; 硅单晶;
机译:高能Kr和Ne离子注入6H-SiC中晶格损伤的产生和退火行为
机译:离子注入和后续退火条件下硅单晶表面二次发射特性的变化
机译:在AlGaN / GaN外延层上的超晶格的光致发光剂量增加铒离子注入和退火温度的影响并
机译:连续磁通离子注入与脉冲离子注入对固相外延再生增长应用的植入后退火行为的比较
机译:辐射损伤积累和退火对锆石氦气扩散的影响
机译:离子注入和闪光灯退火掺杂的锗中的电子浓度极限
机译:高能离子注入对硅单晶物理力学性质变化的影响
机译:Gaas中高能(2.7meV)离子注入辐射损伤的结构特征。
机译:预测硅单晶中氧的析出行为的方法,确定硅单晶生产参数的方法以及用于存储预测硅单晶中氧的析出行为的程序的存储介质
机译:预测硅单晶中氧气析出行为的方法,确定硅单晶生产参数的方法以及用于预测硅单晶中氧气析出行为的存储介质存储程序
机译:硅单晶中氧沉积行为的推断,硅单晶硅片的生产过程的确定以及减少硅单晶中氧沉积行为的记录介质记录程序
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