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1.
Injection-level spectroscopy of metal impurities in silicon
机译:
硅中金属杂质的注入级光谱
作者:
R.K.Ahrenkiel
;
S.Johnston
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
2.
Solutions to gate oxide integrity on TFSOI substrates caused by PMOS threshold-voltage implant
机译:
PMOS阈值电压注入引起的TFSOI衬底上栅极氧化物完整性的解决方案
作者:
S.Q.Hong
;
T.Wetteroth
;
S.R.Wison
;
B.Steele
;
D.K.Schroder
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
3.
Vacancy-type defects in electron and proton-irradiated II-VI compounds
机译:
电子和质子辐照的II-VI化合物中的空位型缺陷
作者:
S.Brunner
;
W.Puff
;
P.Mascher
;
A.G.Balogh
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
4.
Theoretical analysis of the minority carrier lifetime in a multicrystalline wafer with spatially varying defect distribution
机译:
具有空间变化缺陷分布的多晶硅晶片中少数载流子寿命的理论分析
作者:
B.Sopori
;
W.Chen
;
N.M.Ravindra
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
5.
Picosecond time-resolved studies of defect-related recombination in high resistivity CdTe, CdZnTe
机译:
皮秒时间分辨的高电阻率CdTe,CdZnTe缺陷相关复合研究
作者:
G.Ghislotti
;
D.Ielmini
;
E.Riedo
;
M.Martinelli
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
6.
Structural and photoluminescence studies of Er-implanted LT-GaAs:Be
机译:
掺Er的LT-GaAs:Be的结构和光致发光研究
作者:
R.L.Maltez
;
Z.Liliental-Weber
;
J.Washburn
;
M.Behar
;
P.B.Klein
;
P.Specht
;
E.R.Weber
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
7.
Charge state of copper-silicide precipitates in silicon and its application to the understanding of copper precipitation kinetics
机译:
硅化铜沉淀物在硅中的电荷状态及其在了解铜沉淀动力学中的应用
作者:
A.A.Istratov
;
O.F.Vyvenko
;
C.Flink
;
T.Heiser
;
H.Hiesimair
;
E.R.Weber
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
8.
Thermal stabilizaiton of nonstoichiometric GaAs through beryllium doping
机译:
铍掺杂对非化学计量GaAs的热稳定作用
作者:
R.C.Lutz
;
P.Specht
;
R.Zhao
;
S.Jeong
;
J.Bokor
;
E.R.Weber
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
9.
Point defect characterization of Zn- and Cd-based semiconductors using positiron annihilation techniques
机译:
使用正铁an没技术表征Zn和Cd基半导体的点缺陷
作者:
G.Tessaro
;
P.Mascher
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
10.
Plasma chemistry study of plasma ion implantation doping for CMOS devices
机译:
用于CMOS器件的等离子体离子注入掺杂的等离子体化学研究
作者:
S.Qin
;
Y.Zhou
;
C.Chan
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
11.
Point defects in relaxed Si_(1-x)Ge_x alloy layers
机译:
Si_(1-x)Ge_x合金松弛层中的点缺陷
作者:
A.Mesli
;
A.N.Larsen
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
12.
Photo modified growth of GaAs by chemical-beam epitaxy
机译:
化学束外延对GaAs的光致改性生长
作者:
R.Jothilingam
;
T.Farrell
;
T.B.Joyce
;
P.J.Goodhew
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
13.
Systematic analyses of practical problems related to defects and metallic impurities in silicon
机译:
系统分析与硅中的缺陷和金属杂质有关的实际问题
作者:
Y.Kitagawara
;
H.Takeno
;
S.Tobe
;
Y.Hayamizu
;
T.Koide
;
T.Takenaka
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
14.
Smart-cut circle R technology: an industrial application of ion-implantation-induced cavities
机译:
Smart-cut circle R技术:离子注入诱导型腔的工业应用
作者:
B.Aspar
;
C.Lagahe
;
H.Moriceau
;
A.Souble
;
M.Bruel
;
A.J.Auberton-Herve
;
T.Barge
;
C.Maleville
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
15.
Recombination strength of intra- and inter-grain defects in crystalline silicon investigated by low temeprature LBIC scan Maps
机译:
低温LBIC扫描图研究晶体内和晶粒间缺陷的复合强度
作者:
I.Perichaud
;
S.Martinuzzi
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
16.
Role of n-type codopants on enhancing p-type dopants incorporation in p-type codoped ZnSe
机译:
n型共掺杂物对增强p型共掺杂ZnSe中p型掺杂剂结合的作用
作者:
T.Yamamoto
;
H
;
Katayama-Yoshida
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
17.
Advanced knowledge for impurity motion of oxygen in silicon and its application to defect-state analysis
机译:
硅中氧杂质运动的高级知识及其在缺陷状态分析中的应用
作者:
H.Yamada-Kaneta
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
18.
A nonvolatile MOSFET memory device based on mobile protons in the gate dielectric
机译:
一种基于栅极电介质中移动质子的非易失性MOSFET存储器件
作者:
K.Vanheusden
;
W.L.Warren
;
D.M.Fleetwood
;
R.A.B.Devine
;
B.L.Draper
;
J.R.Schwank
;
M.R.Shaneyfelt
;
P.S.Winokur
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
19.
Metal impurity mapping in semiconductor materials using x-ray fluoresence
机译:
使用X射线荧光分析半导体材料中的金属杂质
作者:
S.A.McHugo
;
A.C.Thompson
;
H.Padmore
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
20.
Hydrogen-enhanced defect reactions in silicon: interstitial atom-vacancy
机译:
硅中氢增强的缺陷反应:间隙原子空位
作者:
A.N.Nazarov
;
V.M.Pinchuk
;
T.V.Yanchuk
;
V.S.Lysenko
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
21.
Investigation of influence of thermal and radiation processing on impurity centers in silicon and silicon-based structuers
机译:
研究热和辐射处理对硅和硅基结构中杂质中心的影响
作者:
M.Ashurov
;
Sh.Makhkamov
;
N.A.Tursunov
;
S.V.Martynchenko
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
22.
Iron and nickel solubilities in heavily-doped silicon and their energy levels in the silicon bandgap at elevated temepratures
机译:
重掺杂硅中铁和镍的溶解度以及在高温下硅带隙中的能级
作者:
S.A.McHugo
;
R.J.McDonald
;
A.R.Smith
;
D.L.Hurley
;
A.A.Istratov
;
H.Hieslmair
;
E.R.Weber
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
23.
Ion yield, sputter rate, and SIMS matrix effects in quantitative analysis of (Al_xGa_(1-x))_(0.5)N_(0.5)
机译:
(Al_xGa_(1-x))_(0.5)N_(0.5)定量分析中的离子产率,溅射速率和SIMS基质效应
作者:
D.L.Lefforge
;
Y.L.Chang
;
M.Ludowise
;
E.L.Allen
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
24.
Ion implantation-induced defects and the influence of titanium silicidation
机译:
离子注入引起的缺陷和钛硅化的影响
作者:
D.Z.Chi
;
S.Ashok
;
D.Theodore
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
25.
High-quality In_xGa_(1-x)As heterostructures grown on GaAs with MOVPE
机译:
用MOVPE在GaAs上生长的高质量In_xGa_(1-x)As异质结构
作者:
M.T.Bulsara
;
E.A.Fitzgerald
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
26.
Formation energy of interstitial Si in Au-doped Si
机译:
掺金硅中间隙硅的形成能
作者:
M.Suezawa
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
27.
Gettering of iron and surface oxygen by high-energy boron ion implantation in silicon
机译:
通过高能硼离子注入硅吸收铁和表面氧
作者:
A.Jain
;
D.E.Mercer
;
N.Yu
;
J.K.Lowell
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
28.
Growth and luminescence properties of III-N:Er materials doped during chemical-beam epitaxy
机译:
化学束外延过程中掺杂的III-N:Er材料的生长和发光特性
作者:
J.D.MacKenzie
;
C.E.Abernathy
;
S.J.Perton
;
U.Hommerich
;
J.T.Seo
;
F.Ren
;
R.G.Wilson
;
P.Chen
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
29.
Electrons and defects in semiconductors
机译:
半导体中的电子和缺陷
作者:
H.J.Queisser
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
30.
Evaluating the denuded zone depth by measurements of the recombination activity of bulk defects
机译:
通过测量整体缺陷的重组活性来评估剥蚀区的深度
作者:
M.L.Polignano
;
M.Brambilla
;
F.Cazzaniga
;
G.Pavia
;
F.Zanderigo
;
S.Spiga
;
L.Moro
;
A.Castaldini
;
A.Cavallini
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
31.
Deuterium sintering of CMOS technology for improved hot carrier reliability
机译:
CMOS技术的氘烧结提高了热载流子的可靠性
作者:
J.Lee
;
Z.Chen
;
K.Hess
;
J.W.Lyding
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
32.
Edge effects of nitride film paterning on dislocation generation inlocal oxidationof silicon
机译:
硝酸盐膜构图对硅局部氧化中位错产生的边缘效应
作者:
I.V.Peidous
;
R.Sundaresan
;
E.Quek
;
C.K.Lau
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
33.
Influence of metal contamination on minority carrier diffusion length and oxide charge
机译:
金属污染对少数载流子扩散长度和氧化物电荷的影响
作者:
J.Sakuma
;
Y.Okui
;
M.Miyazawa
;
F.Inoue
;
M.Miyajima
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
34.
Influence of oxygen on Er-related emission in GaN with a large yellow band
机译:
氧对大黄带GaN中Er相关发射的影响
作者:
S.Uekusa
;
T.Goto
;
M.Kumagai
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
35.
Donor neutralization by fluorine containing plasmas in Si-doped N-type GaAs crystals
机译:
Si掺杂N型GaAs晶体中含氟等离子体对供体的中和作用
作者:
J.Wada
;
Y.Matsukura
;
T.Ogihara
;
Y.Furukawa
;
H.Tanaka
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
36.
Deep-level traps in CCD image sensors
机译:
CCD图像传感器中的深层陷阱
作者:
W.C.McColgin
;
J.P.Lavine
;
C.V.Stancamplano
;
J.B.Russell
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
37.
Comparison of device performance fabricated on thick SOI and bulk wafers
机译:
比较厚SOI和块状晶圆上制造的器件性能
作者:
A.Sasaki
;
E.Mitsuhida
;
H.Abe
;
Y.Yoshii
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
38.
Behavior of deep defects after hydrogen passivation in ZnTe studied by photoluminescence and photoconductivity
机译:
ZnTe氢钝化后深层缺陷行为的光致发光和光导性研究
作者:
S.Bhunia
;
D.N.Bose
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
39.
Athermal annealing of silicon
机译:
硅的非热退火
作者:
J.Grun
;
C.K.Manka
;
C.A.Hoffman
;
J.R.Meyer
;
O.J.Glembocki
;
S.B.Qadri
;
E.F.Skelton
;
D.Donnelly
;
B.Covington
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
40.
Carbon doping into GaAs using low-energy hydrocarbon ions
机译:
使用低能烃离子将碳掺杂到GaAs中
作者:
H.Sanpei
;
T.Shima
;
Y.Makita
;
S.Kimura
;
Y.Fukuzawa
;
Y.Nakamura
;
A.Sandhu
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
41.
Characterization of a metastable defect introduced in epitaxially grown boron-doped Si by 5.4 MeV #alpha#-particles
机译:
用5.4 MeV#alpha#粒子表征外延生长的掺硼Si中引入的亚稳缺陷
作者:
M.Mamor
;
F.D.Auret
;
S.A.Goodman
;
W.E.Meyer
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
42.
Characterization of the structure and polarity of twin boundaries in GaP
机译:
GaP中双晶界的结构和极性的表征
作者:
D.Cohen
;
D.L.Medlin
;
C.B.Carter
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
43.
Aluminum and electron-irradiation-induced deep levels in n-type and p-type 6H-SiC
机译:
铝和电子辐照引起的深能级在n型和p型6H-SiC中
作者:
M.Gong
;
C.D.Beling
;
S.Fung
;
G.Brauer
;
H.Wirth
;
W.Skorupa
;
Z-P.You
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
44.
Noble gas induced defects in silicon
机译:
稀有气体引起的硅中的缺陷
作者:
J.Weber
;
S.K.Estreicher
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
45.
A novel detcction system for defects and chemical contamination in semiconductors based upon the scanning kelvin probe
机译:
基于扫描开尔文探针的新型半导体缺陷和化学污染检测系统
作者:
B.Lagel
;
I.D.Baikie
;
U.Petermann
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
46.
New approach to 'high-temperature' quantum switch and quantum field-effect transistor
机译:
“高温”量子开关和量子场效应晶体管的新方法
作者:
E.Z.Meilikhov
;
B.A.Aronzon
;
D.A.Bakaushin
;
V.V.Rylkov
;
A.S.Vedeneev
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
47.
Near-surface defect distribution in silicon under etching
机译:
腐蚀下硅中近表面缺陷的分布
作者:
N.A.Yarykin
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
48.
Measurement of the temperature dependence of silicon recombination lifetimes
机译:
测量硅复合寿命的温度依赖性
作者:
S.Johnston
;
R.K.Ahrenkiel
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
49.
Limiting factors of backside external gettering by nanocavities and aluminum-silicon alloying in silicon wafers
机译:
硅晶片中纳米腔和铝硅合金的背面外部吸气的限制因素
作者:
N.Gay Henquinet
;
S.Martinuzzi
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
50.
Hydrogenation and defect creation in GaAs-based devices during high-density plasma processing
机译:
高密度等离子体处理过程中GaAs基器件中的氢化和缺陷产生
作者:
T.Maeda
;
J.W.Lee
;
C.R.Abenathy
;
S.J.Pearton
;
F.Ren
;
C.Constantine
;
R.J.Shul
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
51.
Investigation of the effect of thermal history on ring-OSF formation in CZ-silicon crystals
机译:
热历史对CZ-硅晶体中环OSF形成的影响的研究
作者:
G.P.Kelly
;
M.Hourai
;
S.Umeno
;
M.Sano
;
H.Tsuya
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
52.
Interface defects and rectification properties of heterojunctions between solid C60 and GaAs
机译:
固体C60与GaAs之间异质结的界面缺陷和整流性能。
作者:
K.M.Chen
;
Y.X.Zhang
;
S.X.Jin
;
K.Wu
;
H.F.Liu
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
53.
Intrinsic gettering of nickel and copper for advanced low-temperature device processes
机译:
镍和铜的内在吸气,用于先进的低温设备工艺
作者:
S.Ogushi
;
N.Reilly
;
S.Sadamitsu
;
Y.Koike
;
M.Sano
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
54.
Highly efficient nitrogen doping into GaAs using low-energy nitrogen molecular ions
机译:
使用低能氮分子离子向GaAs中高效掺杂氮
作者:
T.Shima
;
Y.Makita
;
S.Kimura
;
H.Sanpel
;
Y.Fukuzawa
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
55.
First-principles study of N impurities in SiC polytypes
机译:
SiC多型态中N杂质的第一性原理研究
作者:
W.Windl
;
A.A.Demkov
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
56.
Engineering dislocation dynamics in In_x(Al_yGa_(1-y))_(1-x)P graded buffers grown on GaP by MOVPE
机译:
MOVPE在GaP上生长的In_x(Al_yGa_(1-y))_(1-x)P分级缓冲区中的工程位错动力学
作者:
A.Y.Kim
;
E.A.Fitzgerald
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
57.
Electronically-enhanced reaction of process-induced defects in GaAs
机译:
GaAs过程中缺陷的电子增强反应
作者:
K.Wada
;
H.Nakanishi
;
K.Yamada
;
L.C.Kimerling
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
58.
Evidence of defect migrationand clustering in MeV heavy ion damaged silicon
机译:
MeV重离子损伤的硅中缺陷迁移和聚集的证据
作者:
Y.N.Mohapatra
;
P.K.Giri
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
59.
Fast redistribution of boron impurity in Si during ion irradiation
机译:
离子辐照过程中硅中硼杂质的快速重新分布
作者:
A.N.Buzynin
;
A.E.Lukyanov
;
V.V.Osiko
;
V.V.Voronkov
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
60.
Electrical properties of iron-related defects in CZ- and FZ-grown n-type silicon
机译:
CZ和FZ生长的n型硅中与铁有关的缺陷的电学性质
作者:
H.Kitagawa
;
S.Tanaka
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
61.
Electrical characterization of 1 keV He-, Ne-, and Ar-ion bombarded n-Si using deep level transient spectroscopy
机译:
使用深能级瞬态光谱法对1 keV He,Ne和Ar离子轰击n-Si进行电表征
作者:
P.N.K.Deenapanray
;
F.D.Auret
;
M.C.Ridgway
;
S.A.Goodman
;
G.Myburg
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
62.
Damage in high energy light ions irradiated silicon carbide
机译:
高能轻离子辐照碳化硅的损坏
作者:
P.Leveque
;
S.Godey
;
P.O.Renault
;
E.Ntsoenzok
;
J.F.Barbot
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
63.
Impurity segregation in Al doped GaSb studied by cathodoluminescence microscopy
机译:
阴极发光显微镜研究掺铝砷化镓中的杂质偏析
作者:
P.Hidalgo
;
B.Mendez
;
J.Piqueras
;
P.S.Dutta
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
64.
Influence of defect clusters on the performance of silicon solar cells
机译:
缺陷簇对硅太阳能电池性能的影响
作者:
B.Sopori
;
W.Chen
;
K.Nemire
;
J.Gee
;
S.Ostapenko
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
65.
Effect of oxygen on the formation of dryetching damage introduced into si-substrate
机译:
氧对引入硅衬底的干蚀刻损伤形成的影响
作者:
K.Hamada
;
T.Kitano
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
66.
Discovery of long-range order in thin (2-20 nm) SiO_2 films by ion-beam analysis
机译:
通过离子束分析发现(2-20 nm)SiO_2薄膜中的长程有序
作者:
N.Herbots
;
V.Atluri
;
Q.B.Hurst
;
J.M.Shaw
;
S.Banerjee
;
J.D.Bradley
;
R.J.Culbertson
;
D.J.Smith
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
67.
Control of the Sb redistribution in strained SiGe layers using point-defect injection
机译:
使用点缺陷注入控制应变SiGe层中的Sb重分布
作者:
A.Yu
;
Kuznetsov
;
J.Cardenas
;
J.V.Grahn
;
B.G.Svensson
;
A.N.Larsen
;
J.Lundsgaard Hansen
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
68.
Controlled surface fermi-level on the SeS_2-Passivated n-GaAs(100)
机译:
SeS_2钝化的n-GaAs(100)上的受控表面费米能级
作者:
J.Sun
;
F.J.Himpsel
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
69.
Compliant substrates with an embedded twist boundary
机译:
具有嵌入式扭曲边界的兼容基板
作者:
Y.M.Lo
;
Z.H.Zhu
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
70.
Comparison of oxygen and hydrogen gettering at high-temperature postimplantation annealing of hydrogen- and helium- implanted czochralski silicon
机译:
氢和氦注入的长方硅硅高温注入后退火过程中氧和氢吸杂剂的比较
作者:
R.Job
;
W.R.Fahrner
;
A.I.Ivanov
;
L.Palmetshofer
;
A.G.Ulyashin
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
71.
Behavior of electron traps induced by phosphidizaiton and nitridationof GaAs surfaces
机译:
GaAs表面的磷化和氮化诱导电子陷阱的行为
作者:
S.Nozu
;
K.Matsuda
;
T.Sugino
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
72.
Baseline particle reduction of downstream oxide etchers etching contacts and vias
机译:
下游氧化物蚀刻器蚀刻触点和过孔的基线颗粒减少
作者:
B.Williams
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
73.
ARC suppression and defect reduction in semiconductor metallization
机译:
半导体金属化中的ARC抑制和缺陷减少
作者:
X.Li D.Loo
;
B.Stimson
;
S.Seamons M.Narasimhan
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
74.
Defect engineering in ion-implanted diamond
机译:
离子注入金刚石的缺陷工程
作者:
A.A.Gippius
;
R.A.Khmelnitski
;
V.A.Dravin
;
S.D.Tkachenko
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
75.
Defect formation during sublimation bulk crystal growth of silicon carbide
机译:
升华碳化硅块状晶体生长过程中的缺陷形成
作者:
N.Ohtani
;
J.Takahashi
;
M.Katsuno
;
M.Yashiro
;
M.Kanaya
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
76.
Characterization of the subthreshold damage in MeV ion-implanted p Si
机译:
MeV离子注入p Si中亚阈值损伤的表征
作者:
S.Fatima J.Wong-Leung
;
J.Fitz Gerald
;
C.Jagadish
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
77.
The engineering of silicon water material properties through vacancy concentration profile control and the achievement of ideal oxygen precipitation behavior
机译:
通过空位浓度分布控制和实现理想的氧析出行为的硅水材料性能工程
作者:
R.Falster
;
D.Gambaro
;
M.Olmo
;
M.Comara
;
H.Korb
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
78.
The impact of rapid thermal annealing on the properties of the Si(100)-SiO_2 interface
机译:
快速热退火对Si(100)-SiO_2界面性能的影响
作者:
P.K.Hurley
;
C.Levugle
;
A.Mathewson
;
D.Doyle
;
S.Whiston
;
J.Prendergast
;
P.Lundgren
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
79.
The effect of doping on nitrogen activationenergy level in 4H-SiC
机译:
掺杂对4H-SiC中氮活化能级的影响
作者:
A.O.Evwaraye
;
S.R.Smith
;
W.C.Mitchel
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
80.
Hydrogen diffusionin boron-doped diamond: evidence of hydrogen-boron interactions
机译:
氢在掺硼金刚石中的扩散:氢-硼相互作用的证据
作者:
J.Chevallier
;
B.Theys
;
C.Grattepain
;
A.Deneuville
;
E.Gheeraert
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
81.
A molecular dynamics study of step motions on vicinal silicon surfaces
机译:
相邻硅表面上步进运动的分子动力学研究
作者:
A.M.Mazzone
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
82.
Termary group-III nitrides grown in MOVPE production reactors
机译:
在MOVPE生产反应器中生长的III型三元氮化物
作者:
O.Schoen
;
H.Protzmann
;
M.Schwambera
;
B.Schineller
;
M.Heuken
;
D.Schmitz
;
G.Strauch
;
H.Juergensen
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
83.
The transformations of the EL6 deep-level defect in n-GaAs: is EL6 a DX-like Center?
机译:
n-GaAs中EL6深层缺陷的转变:EL6是类DX中心吗?
作者:
C.V.Reddy
;
S.Fung
;
C.D.Beling
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
84.
Suppression of antiphase disorder in GaAs grown on relaxed GeSi buffers by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过有机金属化学气相沉积抑制在弛豫的GeSi缓冲液上生长的GaAs中的反相无序
作者:
S.M.Ting
;
S.B.Samavedam
;
M.T.Currie
;
T.A.Langdo
;
E.A.Fitzgerald
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
85.
Schottky-barrier modificationof low-energy Ar-ion bombarded GaAs and Si
机译:
低能Ar离子轰击GaAs和Si的肖特基势垒修饰
作者:
F.N.K.Deenapanray
;
F.D.Auret
;
S.A.Goodman
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
86.
Recent progress in crystal grwoth and conductivity control of wide-bandgap group-III nitride semiconductors
机译:
宽带隙III族氮化物半导体的晶体生长和电导率控制的最新进展
作者:
I.Akasaki
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
87.
Phosphorus passivation of GaAs
机译:
GaAs的磷钝化
作者:
S.P.Watkins
;
X.Xu
;
J.Hu
;
R.Ares
;
P.Yeo
;
D.A.Harrison
;
M.L.W.Thewalt
;
C.R.Bolognesi
;
A.J.Springthorpe
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
88.
Studies of the microscopic nature of Cu pairs in Silicon
机译:
硅中铜对的微观性质研究
作者:
A.A.Istratov
;
T.Heiser
;
H.Hieslmair
;
C.Flink
;
E.R.Weber
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
89.
Peculiarities of Zn diffusion frompolymer spin-on films in AlGaAs
机译:
AlGaAs中聚合物旋涂膜中Zn扩散的特殊性
作者:
A.V.Kamanin
;
A.M.Mintairov
;
N.M.Shmidt
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
90.
An investigation of the limit of detection and the scattering dependence of the optical precipitate profiler (OPP)
机译:
光学沉淀物轮廓仪(OPP)的检测极限和散射依赖性的研究
作者:
L.Mulestagno
;
D.E.Hill
;
R.Standley
;
M.Olmo
;
J.C.Holzer
;
R.Falster
;
P.Fraundorf
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
91.
Aluminum acceptors in inequivalent sites in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中不等价位的铝受体
作者:
S.R.Smith
;
A.O.Evwaraye
;
W.C.Mitchel
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
92.
Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization
机译:
通过太赫兹隧道离子化技术对半导体中的深杂质进行表征
作者:
E.Ziemann
;
S.D.Ganichev
;
I.N.Yassievich
;
K.Schmalz
;
W.Prettl
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
93.
Charge redistribution and defect relaxation in heavily damaged silicon studied using time analyzed transient spectroscopy
机译:
使用时间分析瞬态光谱研究严重受损的硅中的电荷重新分布和缺陷弛豫
作者:
Y.N.Mohapatra
;
P.K.Giri
会议名称:
《Defect and impurity engineered semiconductors II》
|
1998年
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