快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

摘要

对快速退火后用共蒸发Ｂ２Ｏ３方法实验重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究。１１００℃退火可以使外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转为陡峭，获得了晶体质量良好的外延层。