首页> 中文期刊> 《应用科学学报》 >重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究

         

摘要

研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Fano相互作用理论为基础,对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式,结合霍耳效应测量,得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度p之间的关系曲线为Г=2.54p^0.408,其中Г,p分别是以cm^-1和10^19cm^-3为单位。提供了用喇曼光谱

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号