HgCdTe外延层注硼后的热脉冲退火

摘要

在液氮温度下对Hg0.64Cd.36Te外延层注11B时(剂量为1015cm-2,能量为250keV)所造成的晶体损伤成功地进行了退火。并用兆电子伏级的氦离子沟道和卢瑟福背散射（Rutherford backscattering）作了观察。退火是将样片用硅板盖上,在空气中用热脉冲方式来进行的（温度为260℃,时间是8秒）。二次离子质谱分析（SIMS）数据表明在退火时硼不会扩散,由电子束感应电流（EBIC）测出p—n结的结深为5.5μm,在这个外延层上制备的二极管的I—V曲线十分陡直,其反向击穿电压是12V,而在77K时的RoA乘积≥10~7Ω·cm~2。