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徐非凡; 吴俊; 巫艳; 陈路; 于梅芳; 何力;
中科院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;
砷; 扩散; 二次离子质谱; 碲镉汞; 分子束外延;
机译:围绕外延HGCDTE外延层和HGTE / CDHGTE异质结构中的双赫兹光致发光,用量子薯类
机译:使用改进的缺陷蚀刻剂研究(111)B和(110)表面HgCdTe外延层中的位错
机译:太赫兹范围内的窄间隙HgCdTe外延层中的磁吸收
机译:蒙特卡罗在HGCDTE中扩散系数,噪声光谱密度和噪声温度的计算
机译:热力学稳定系统和临界区中自扩散系数和菲克扩散系数的理论研究
机译:HgCdTe外延层的磁导率和太赫兹响应
机译:利用水平滑块生长LpE的HgCdTe外延层的特性
机译:用于生产HgCdTe外延层,结构和器件的替代技术的工业开发。
机译:在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译:HGCDTE外延层中P-N结的制作方法
机译:HGCDTE外延层中P-N结的制备方法
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