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北京市集佳律师事务所上海分所;
机译:65nm以下低功耗互补金属氧化物半导体技术通过优化浅沟槽隔离工艺来改善浅沟槽隔离应力
机译:使用亚大气化学气相沉积16/14 nm FinFET浅沟槽隔离结构的新型间隙填充技术
机译:浅沟槽和深沟槽轴环合并隔离和节点沟槽SPT DRAM单元的逆行阱和外延厚度优化和CMOS逻辑技术
机译:商用深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离边界单光子雪崩二极管。
机译:浅俯冲带上方非常靠近沟槽的全新世变形
机译:设计用于深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离二极管作为静电放电保护
机译:0.5微米浅沟槽211隔离技术中产量限制缺陷的识别
机译:用于隔离半导体器件的浅沟槽和深沟槽的形成涉及形成浅沟槽,电介质层,电介质层中的开口,间隔件以及开口中的深沟槽。
机译:STI CMP高氧化物与氮化物选择性低且均匀的氧化物沟槽在浅沟槽隔离中凹陷,浅沟隔离器凹陷,化学机械平面化研磨CMP
机译:具有气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器及其制造方法
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