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丁海涛; 杨振川; 闫桂珍;
北京大学微电子学研究院,北京100871;
反应离子深刻蚀; 热传递; notching效应;
机译:黑色硅法-在轮廓控制下确定深硅沟槽刻蚀中基于氟的反应离子刻蚀参数设置的通用方法
机译:由于依赖于纵横比的传输和微负载效应,在硅的深反应离子刻蚀中可实现的最大纵横比
机译:规避阳极键合玻璃-硅结构深反应离子刻蚀中的微负载效应的方法
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:锗和硅的时分复用深反应离子刻蚀—机理比较及在X射线光学中的应用
机译:三步深反应离子刻蚀,用于高密度沟槽刻蚀
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)
机译:通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔
机译:利用单平面刻蚀掩模和深反应离子/等离子刻蚀制造三维光子晶体的方法
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