机译:由于依赖于纵横比的传输和微负载效应,在硅的深反应离子刻蚀中可实现的最大纵横比
Department of Mechanical and Industrial Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, 1206 West Green Street, Urbana, Illinois 61801;
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:通过局部聚焦离子束注入和深反应离子刻蚀在硅基板上制备高纵横比的纳米通道
机译:深度深层反应离子刻蚀石英中取决于纵横比的刻蚀
机译:校正使用SF6 / C4F8 / Ar气体混合物进行深硅蚀刻时的长宽比依赖性。
机译:通过深反应离子蚀刻制造高纵横比硅光栅
机译:使用深反应离子蚀刻制备高纵横比硅纳米粒子和纳米能
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)