Etching; Semiconductor device modeling; Polymers; Ions; Resonators; Silicon; Mathematical model;
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:由于依赖于纵横比的传输和微负载效应,在硅的深反应离子刻蚀中可实现的最大纵横比
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:纵横比在石英的先进深反应离子蚀刻中依赖性蚀刻
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:用于MEMS谐振装置制造的Z-Cutα石英的深反应离子蚀刻
机译:通过反应离子刻蚀实现无光刻的高纵横比亚微米石英柱