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公开/公告号CN111383883B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;
申请/专利号CN201811610204.1
发明设计人 罗先刚;赵泽宇;王彦钦;高平;马晓亮;蒲明博;李雄;郭迎辉;
申请日2018-12-27
分类号H01J37/32(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人倪斌
地址 610209 四川省成都市双流350信箱
入库时间 2022-08-23 12:30:28
机译: 超大面积扫描式反应离子刻蚀机及刻蚀方法
机译: 反应离子刻蚀装置及反应离子刻蚀方法
机译: 通过增加焊盘面积来提高反应离子刻蚀终点检测能力的方法
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:使用循环反应离子刻蚀方法从二硅化钴生成催化剂后,碳纳米管面积密度增加
机译:反应离子刻蚀机和MERIE刻蚀机中薄氧化物带电的空间分布
机译:磁增强双频反应离子刻蚀机,用于介质刻蚀
机译:GEC参考电池与商用反应离子刻蚀机的刻蚀条件比较
机译:利用无人机模型对玉米绿叶面积指数动态进行高通量模型辅助的方法
机译:耕作方法和施肥类型对种植在田间地上的玉米作物造成的水蚀造成的水,土壤,有机质和养分的损失水,土壤,有机质和降雨造成的降雨侵蚀的养分流失耕作方式和施肥类型对玉米播种的天然牧场面积的影响
机译:反应离子刻蚀和溅射刻蚀诱导Gaas表面损伤