Central Research Institute of Electric Power Industry 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan;
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:用于6500 V JBS器件的4H-SiC晶片上生长的低缺陷厚同质外延层
机译:在添加了HC1的Si轴6H和4H-SiC轴上生长的同质外延层
机译:具有减少微量密度的厚SiC层的同性记生长和表征
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:高温处理后纳米织构4H-siC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长