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Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)
Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)
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1.
PVT Growth of 6H SiC Crystals and Defect Characterization
机译:
6H SiC晶体的PVT生长及其缺陷表征
作者:
Govindhan Dhanaraj
;
Feng Liu
;
Michael Dudley
;
Hui Zhang
;
Vish Prasad
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
2.
Pressure Dependence of Aluminum Doping in SiC Vapor Phase Epitaxy
机译:
SiC气相外延中铝掺杂的压力依赖性
作者:
Adolf Schoener
;
Malin Gustafsson
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
3.
Room-temperature Photoluminescence at 1540 nm from Amorphous Silicon Carbide Films Implanted with Erbium
机译:
注入Er的非晶碳化硅薄膜在1540 nm处的室温光致发光
作者:
Spyros Gallis
;
Harry Efstathiadis
;
Mengbing Huang
;
Alain E. Kaloyeros
;
Ei Ei Nyein
;
Uwe Hommerich
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
4.
The interaction of C_(60) with Si(111) and Co/Si(111)
机译:
C_(60)与Si(111)和Co / Si(111)的相互作用
作者:
M.A.K. Zilani
;
H. Xu
;
X.S. Wang
;
A.T.S. Wee
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
5.
Structural characterization of 3C-SiC films grown on Si layers wafer bonded to polycrystalline SiC substrates
机译:
在与多晶SiC衬底键合的硅层上生长的3C-SiC膜的结构表征
作者:
R.L. Myers
;
K.D. Hobart
;
M. Twigg
;
S. Rao
;
M. Fatemi
;
F.J. Kub
;
S.E. Saddow
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
6.
The Electrical Behavior of Pd/AlN/Semiconductor Thin Film Hydrogen Sensing Structures
机译:
Pd / AlN /半导体薄膜氢感测结构的电学行为
作者:
L. Rimai
;
M.H.Rahman
;
E.F. McCullen
;
L. Zhang
;
J.S. Thakur
;
R. Naik
;
G. M. Newaz
;
K.Y.S. Ng
;
R.J. Baird
;
G.W. Auner
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
7.
Thermoplastic Deformation and Residual Stress Topography of 4H-SiC Wafers
机译:
4H-SiC晶片的热塑性变形和残余应力形貌
作者:
Robert. S. Okojie
;
Ming Zhang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
8.
The Effect of Doping Concentration and Conductivity Type on Preferential Etching of 4H-SiC by Molten KOH
机译:
掺杂浓度和电导率类型对熔融KOH优先刻蚀4H-SiC的影响
作者:
Ying Gao
;
Zehong Zhang
;
Robert Bondokov
;
Stanislav Soloviev
;
Tangali Sudarshan
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
9.
SiC Power Devices - An Overview
机译:
SiC功率器件-概述
作者:
Anant Agarwal
;
Mrinal Das
;
Sumithra Krishnaswami
;
John Palmour
;
James Richmond
;
Sei-Hyung Ryu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
10.
Reliability of Nitrided Oxides in N- and P-type 4H-SiC MOS Structures
机译:
N型和P型4H-SiC MOS结构中氮化氧化物的可靠性
作者:
Sumi Krishnaswami
;
Mrinal K. Das
;
Anant K. Agarwal
;
John W. Palmour
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
11.
Growth and Metrology of Silicon Oxides on Silicon Carbide
机译:
碳化硅上氧化硅的生长和计量
作者:
Andrew M. Hoff
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
12.
Homoepitaxial growth and characterization of thick SiC layers with a reduced micropipe density
机译:
同质外延生长和微管密度降低的厚SiC层的表征
作者:
H. Tsuchida
;
I. Kamata
;
S. Izumi
;
T. Tawara
;
T. Jikimoto
;
T. Miyanagi
;
T. Nakamura
;
K. Izumi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
13.
Large area single and stacked p-i-n photodiodes as a color image sensors
机译:
大面积单个和堆叠式p-i-n光电二极管作为彩色图像传感器
作者:
P. Louro
;
M. Fernandes
;
A. Fantoni
;
A. Macarico
;
C.Nunes de Carvalho
;
G. Lavareda
;
M. Vieira
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
14.
Characterization of SiC epilayers using high-resolution X-ray diffraction and synchrotron topography imaging
机译:
使用高分辨率X射线衍射和同步加速器形貌成像表征SiC外延层
作者:
Xianrong Huang
;
Michael Dudley
;
Robert S. Okojie
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
15.
Deep Level Defects in He-implanted n-6H-SiC Studied by Deep Level Transient Spectroscopy
机译:
深能级瞬态光谱研究He注入的n-6H-SiC中的深能级缺陷
作者:
X. D. Chen
;
C. C. Ling
;
S. Fung
;
C. D. Beling
;
H. S. Wu
;
G Brauer
;
W. Anwand
;
W. Skorupa
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
16.
Comprehensive Study of Impact Ionization Coefficients of 4H-SiC
机译:
4H-SiC碰撞电离系数的综合研究
作者:
T. Hatakeyama
;
T. Watanabe
;
K. Kojima
;
N. Sano
;
T. Shinohe
;
K. Arai
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
17.
Epitaxial Growth of 3C-SiC on T-shape columnar Si Substrates
机译:
T形柱状硅衬底上3C-SiC的外延生长
作者:
S. Nishino
;
A. Shoji
;
T. Nishiguchi
;
S. Ohshima
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
18.
Development of SiC-based Gas Sensors for Aerospace Applications
机译:
航空航天应用基于SiC的气体传感器的开发
作者:
G. W. Hunter
;
P. G. Neudeck
;
J. Xu
;
D. Lukco
;
A. Trunek
;
M. Artale
;
P. Lampard
;
D. Androjna
;
D. Makel
;
B. Ward
;
C. C. Liu
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
19.
Fabrication and Initial Characterization of 600 V 4H-SiC RESURF-type JFETs
机译:
600 V 4H-SiC RESURF型JFET的制备和初始表征
作者:
Satoshi Hatsukawa
;
Michitomo Iiyama
;
Kazuhiro Fujikawa
;
Atsushi Ito
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
20.
Epitaxial Growth of 2 inch 3C-SiC on Si Substrates by Atmospheric Hot Wall CVD
机译:
大气热壁CVD在Si衬底上外延生长2英寸3C-SiC
作者:
Jiliang Zhu
;
Yi Chen
;
Yusuke Mukai
;
Akira Shoji
;
Taro Nishiguchi
;
Satoru Ohshima
;
S. Nishino
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
21.
Microstructural Aspects and Mechanism of Degradation of 4H-SiC PiN Diodes under Forward Biasing
机译:
正偏压下4H-SiC PiN二极管的微观结构及其降解机理
作者:
Pirouz Pirouz
;
Ming Zhang
;
Augustinas Galeckas
;
Jan Linnros
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
22.
Laser Direct Write and Gas Immersion Laser Doping Fabrication of SiC Diodes
机译:
SiC二极管的激光直接写入和气体浸入激光掺杂制备
作者:
Z. Tian
;
N.R. Quick
;
A. Kar
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
23.
Mechanisms of Stacking Fault Growth in SiC PiN Diodes
机译:
SiC PiN二极管中堆叠故障增长的机理
作者:
R. E. Stahlbush
;
M. E. Twigg
;
J. J. Sumakeris
;
K. G. Irvine
;
P. A. Losee
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
24.
Extreme Service Packaging for Silicon Carbide Electronic Devices
机译:
碳化硅电子设备的极限服务包装
作者:
Maxime J. F. Guinel
;
Diego Rodriguez-Marek
;
M. Grant Norton
;
Robert B. Davis
;
David F. Bahr
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
25.
Ion Implantation and 1 MeV Electron Irradiation of 4H-SiC—Comparison Studies
机译:
4H-SiC的离子注入和1 MeV电子辐照—比较研究
作者:
A. O. Evwaraye
;
S. R. Smith
;
W. C. Mitchel
;
G. C. Farlow
;
M. A. Capano
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
26.
Growth of Large Diameter Semi-Insulating 6H-SiC Crystals by Physical Vapor Transport
机译:
物理气相传输法生长大直径半绝缘6H-SiC晶体
作者:
M. Yoganathan
;
A. Gupta
;
E. Semenas
;
E. Emorhokpor
;
C. Martin
;
T. Kerr
;
I. Zwieback
;
A. E. Souzis
;
T.A. Anderson
;
C.D. Tanner
;
J. Chen
;
D.L. Barrett
;
R.H. Hopkins
;
C.J. Johnson
;
Fei Yan
;
W.J. Choyke
;
R.P. Devaty
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
27.
Formation of Si/SiC heterostructures for silicon-based quantum devices using single CH_3SiH_3-gas source free jet
机译:
使用单个CH_3SiH_3-气体源自由射流形成硅基量子器件的Si / SiC异质结构
作者:
Ryota Ohtani
;
Yoshifumi Ikoma
;
Teruaki Motooka
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
28.
Characterization and Mapping of Crystal Defects in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中晶体缺陷的表征和定位
作者:
E. Emorhokpor
;
T. Kerr
;
I. Zwieback
;
W. Elkington
;
M. Dudley
;
T. Anderson
;
J. Chen
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
29.
Atomic Force Microscope Observation of Growth and Defects on As-Grown (111) 3C-SiC Mesa Surfaces
机译:
原子显微镜在生长的(111)3C-SiC台面表面上生长和缺陷的观察
作者:
Philip G. Neudeck
;
Andrew J. Trunek
;
J. Anthony Powell
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
|
2004年
30.
Aluminum-Ion Implantation into 4H-SiC (11-20) and (0001)
机译:
铝离子注入4H-SiC(11-20)和(0001)
作者:
Y. Negoro
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
31.
Characterization and Comparison of 4H-SiC(1120) and 4H-SiC(0001) 8° Off-Axis Substrates and Homoepitaxial Films
机译:
4H-SiC(1120)和4H-SiC(0001)8°离轴衬底和同质外延膜的表征和比较
作者:
S.M. Bishop
;
E.A. Preble
;
C. Hallin
;
A. Henry
;
W. Sarney
;
H.-R. Chang
;
L. Storasta
;
H. Jacobson
;
Z.J. Reitmeier
;
B.P. Wagner
;
E. Janzen
;
R.F. Davis
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
32.
Charge Controlled Silicon Carbide Switching Devices
机译:
电荷控制碳化硅开关设备
作者:
Peter Friedrichs
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
33.
Characterization of Defects Generated During Boron Diffusion in SiC
机译:
SiC在硼扩散过程中产生的缺陷的表征
作者:
Xue-feng Lin
;
Stephen P. Smith
;
Xianyun Ma
;
Liang Wang
;
Tangali S. Sudarshan
;
Qingchun Zhang
;
Hsueh-Rong Chang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
34.
SIC POWER DIODES IMPROVEMENT BY FINE SURFACE POLISHING
机译:
通过精细表面抛光改善SIC电源二极管
作者:
P. Godignon
;
R. Perez
;
D. Tournier
;
N. Mestres
;
H. Mank
;
D. Turover
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
35.
Study by Weak Beam and HRTEM of double stacking faults created by external mechanical stress in 4H-SiC
机译:
弱束和HRTEM研究4H-SiC中外部机械应力引起的双层错
作者:
Hosni Idrissi
;
Maryse Lancin
;
Joel Douin
;
Gabrielle Regula
;
Bernard Pichaud
;
Rachid El Bouayadi
;
Jean-Marc Roussel
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
36.
MOS Interface Properties and MOSFET Performance on 4H-SiC{0001} and Non-Basal Faces Processed by N_2O Oxidation
机译:
N_2O氧化处理的4H-SiC {0001}和非基面上的MOS界面特性和MOSFET性能
作者:
T. Kimoto
;
Y. Kanzaki
;
M. Noborio
;
H. Kawano
;
H. Matsunami
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
37.
Morphology-Controlled Synthesis of Nanostructured Silicon Carbide
机译:
形态控制合成纳米结构碳化硅
作者:
Xiang-Yun Guo
;
Guo-Qiang Jin
;
Ya-Juan Hao
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
38.
Photoluminescence Characterization of Defects Introduced in 4H-SiC During High Energy Proton Irradiation and Their Annealing Behavior
机译:
高能质子辐照过程中4H-SiC引入的缺陷的光致发光特性及其退火行为
作者:
M. Ahoujja
;
H. C. Crocket
;
M. B. Scott
;
Y.K. Yeo
;
R. L. Hengehold
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
39.
Status of 4H-SiC Substrate and Epitaxial Materials for Commercial Power Applications
机译:
4H-SiC衬底和外延材料在商用电源中的现状
作者:
A.R. Powell
;
J.J. Sumakeris
;
R.T. Leonard
;
M.F. Brady
;
St.G. Mueller
;
V.F. Tsvetkov
;
H.McD. Hobgood
;
A.A. Burk
;
M.J. Paisley
;
R.C. Glass
;
C.H. Carter
;
Jr.
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
40.
Saturation and Flow Rate Effects on the Response of a Pd/AlN/SiC Hydrogen Sensor
机译:
饱和度和流速对Pd / AlN / SiC氢传感器响应的影响
作者:
M.H. Rahman
;
K.Y.S. Ng
;
E.F. McCullen
;
R. Naik
;
G. Newaz
;
Y. Danylyuk
;
L. Rimai
;
R.J. Baird
;
G.W. Auner
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
41.
A Robust Process for Ion Implant Annealing of SiC in a Low-Pressure Silane Ambient
机译:
低压硅烷环境中SiC离子注入退火的鲁棒工艺
作者:
S. Rao
;
S.E. Saddow
;
F. Bergamini
;
R. Nipoti
;
Y. Emirov
;
Anant Agrawal
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
42.
4H-SiC MIS structures using oxidized Ta_2Si as high-k dielectric
机译:
使用氧化的Ta_2Si作为高k电介质的4H-SiC MIS结构
作者:
A. Perez-Tomas
;
P. Godignon
;
N. Mestres
;
D. Tournier
;
J. Montserrat
;
J. Millan
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
43.
6H and 4H-SiC Bulk Growth by PVT and Advanced PVT (APVT)
机译:
PVT和高级PVT(APVT)的6H和4H-SiC块体生长
作者:
A. Gupta
;
M. Yoganathan
;
E. Semenas
;
I. Zwieback
;
E. Emorhokpor
;
C. Martin
;
T. Kerr
;
A. Souzis
;
T. Anderson
;
J. Chen
;
C. Tanner
;
D. Barrett
;
R. Hopkins
;
C. Johnson
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.815; Symposium on Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices; 20040414-15; San Francisco,CA(US)》
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2004年
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