机译:在GaAs(001)邻近衬底上生长的GaSb和InSb外延层中位错的分布
机译:热退火对InP上生长的GaAsSb外延层中载流子定位和自旋检测效率的影响
机译:使用变质AlGalnAs缓冲剂通过有机金属化学气相沉积在GaAs衬底上生长的高质量InP外延层
机译:在GaAs和INP上生长的INSB的癫痫/衬底界面处的载体积累的抑制
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:InP和GaAs衬底上高质量InSb的分子束外延生长
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性