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郑焕东;
无;
分子束外延; 非昌过渡层; 锑化铟; 红外探测器;
机译:GaAs衬底上分子束外延生长高度不匹配的InSb膜的表面形态
机译:低温缓冲层厚度对分子束外延生长在GaAs衬底上InSb质量的影响
机译:在GaAs(100)衬底上使用高质量CdTe(100)膜对InSb / CdTe和PbTe / CdTe异质体系进行分子束外延生长
机译:GaAs衬底上通过分子束外延生长的高电子迁移率AlInSb / InAsSb异质结构
机译:液相中InSb和InGaAs上烷硫醇盐和硫化物层的单步和两步吸附
机译:SiO2 / Si衬底上沉积的超薄InSb纳米晶薄膜的表征
机译:分子束外延生长在Inp和Gaas衬底上的高质量Insb
机译:在Inp和Gaas衬底上的高质量Insb的分子束外延生长
机译:用于光电探测器的硅基板上InSB和GaAs薄膜的成分
机译:InSb的多步骤等离子体蚀刻方法和InSb衬底
机译:相同的制造方法以及使用该InSb薄膜叠层体的InSb薄膜磁传感器
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