The University of Arizona.;
机译:第一InSb层的沉积条件对通过InSb双层两步生长法生长的n型InSb薄膜电性能的影响
机译:n-InSb [111] A / B的InSb [1 1 1] B的清洗方法,用于通过液相外延生长外延层
机译:Ingaassb / Gasb基板上的液相外延产生的INSB量子点
机译:INAS {sub}(1-x)p {sub} x(bi)/ Inas热 - pv和Insb {sub}(1-x)为{sub} x(bi)/ Insb pv - 结构通过液体生长 - 液相电气源版
机译:单层组件中结构和反应性的研究:1.链烷硫醇盐自组装单层在Au上的臭氧分解。 2.超薄金膜的面内电阻率是一种高灵敏度的液-金属界面化学吸附分子区分探针。
机译:InGaAs的液相单层掺杂含S和Sn的有机分子层
机译:第一Insb层沉积条件对两步生长法制备的n型Insb薄膜电性能的影响Insb双层膜
机译:液相外延生长厚钇铁石榴石单晶层。