机译:低温缓冲层厚度对分子束外延生长在GaAs衬底上InSb质量的影响
Chinese Acad Sci, Inst Phys, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100080, Peoples R China;
atomic force microscope; high-resolution x-ray diffraction; nucleation; raman scattering; molecular beam epitaxy; antimonides; X-RAY-DIFFRACTION; LATTICE-DYNAMICS; LAYER THICKNESS; FILMS;
机译:通过分子束外延法用alinsb / gasb作为复合缓冲层的高质量内含物薄膜的高质量Insb薄膜的生长
机译:在GaAs衬底上通过Al_xGa_1-xAs和In_xGa_1-xAs缓冲层通过分子束外延生长的ZnSe薄膜的晶体质量和Ga偏析的研究
机译:利用分子束外延生长的变质缓冲层表征GaAs衬底上InGaAs / InP单量子阱结构
机译:在AL_XGA_(1-X)和IN_XGA_(1-x)上的分子束外延生长的ZnSe膜中的晶体质量和Ga偏析作为GaAs基板上的缓冲层
机译:分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过分子束外延生长的GaAs1-Xbix / GaAs量子阱结构的光学性质(100)和(311)B GaAs基材
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构