Indium antimonides; Carrier mobility; Indium arsenides; Molecular beam epitaxy; Morphology; Semiconductors (Materials); Surface properties; Temperature dependence; Carrier density (Solid state); Flux density; Gallium arsenides; Indium phosphides; Substrates; X ray d;
机译:通过分子束外延生长的InAs_(1-x)Sb_x和InSb纳米线的电学性质
机译:GaAs衬底上分子束外延生长高度不匹配的InSb膜的表面形态
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:通过分子束外延在GaAs(100)衬底上生长的Al {Sub} 0.1in×0.1in {sub}×0.9SB绝缘层的性质
机译:分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:InP和GaAs衬底上高质量InSb的分子束外延生长
机译:在Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(x)sb(1-x)的表面形貌和电学性质