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张永刚; 周平; 陈慧英; 潘慧珍;
中国科学院上海冶金研究所;
InAs; InAsPSb; 外延生长;
机译:使用四元熔体在GaAs衬底上晶格失配的InSb,GaInAs和GaInAsSb的液相外延生长
机译:界面失配位错生长方式对金属有机化学气相沉积在GaAs衬底上生长的高度晶格失配的In_xGa_(1-x)Sb外延层的影响
机译:Ga-As-Sb系统的低温相图和(100)InAs衬底上晶格匹配的GaAsSb的液相外延生长
机译:钙钛矿型(Bi,Na)TiO / sub 3 /的液相外延生长以及SrTiO / sub 3 / 001衬底上的固溶体
机译:使用新型液相-分子束外延技术在磷化镓衬底上生长的高质量砷化铟及相关合金。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:Te杂质对液相外延生长在GaSb(001)衬底上的GaSb外延层形貌的影响
机译:在Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(x)sb(1-x)的表面形貌和电学性质
机译:使用具有固液相变的缓冲层在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
机译:通过熔化缓冲层在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
机译:在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
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