Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Madras Chennai India;
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology;
Electric breakdown; Impact ionization; Temperature dependence; Gallium nitride; Electron traps; Temperature measurement; Breakdown voltage;
机译:通过改善厚缓冲层上的GaN质量来增强4-in硅上AlGaN / GaN HEMT的击穿性能
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:厚缓冲液在AlGaN / GaN HEMT的OFF状态模拟中的影响
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:用于估算alGaN / GaN HEmT的长期退化和寿命的寿命测试程序的模拟(postprint)