机译:通过改善厚缓冲层上的GaN质量来增强4-in硅上AlGaN / GaN HEMT的击穿性能
AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT); HEMT; breakdown voltage; buffer breakdown;
机译:具有高击穿电压的C掺杂GaN缓冲层,用于通过MOVPE在4英寸Si衬底上进行大功率操作的AlGaN / GaN HFET
机译:通过MOCVD使用部分Mg掺杂GaN缓冲层在Si底物上生长的AlGaN / GaN HEMT的改善电压
机译:具有2.7μm厚外延层,最大截止态击穿电压为500 V的4英寸硅衬底上的AlGaN / GaN HEMT
机译:通过在4英寸硅上生长9 µm厚的AlGaN / GaN HEMT来提高击穿电压
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:增强AlGaN / GaN Hemts中的击穿电压:现场板加高 -