Aluminum gallium nitrides ; High electron mobility transistors ; Computerized simulation ; Life tests ; Degradation ; Thermal degradation ; Field effect transistors ; Long range(Time) ; Strain rate ; Defects(Materials) ; Thermal analysis ; Residual stress ; Hot spots ; Phonons ; Irradiation ; Piezoelectric effect ; Reliability(Electronics) ; Fourier analysis ; Thermometers ; Thermoelasticity ; Gallium nitrides ; Test methods ; Finite element analysis ; Performance(Engineering) ; Infrared signatures ; Life expectancy(Service life) ; Thermomechanics ; Error analysis;
机译:用于评估AlGaN / GaN HEMT的长期降解和寿命的寿命测试程序的仿真
机译:高温寿命试验下AlGaN / GaN HEMT的降解
机译:长期DC寿命测试下SopSiC复合衬底上AlGaN / GaN HEMT的可靠性分析
机译:长期正向栅极应力后p-GaN AlGaN / GaN HEMT中自恢复栅极退化的观察:空穴/电子的俘获和去俘获动力学
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:基于AlGaN / GaN的HEMT中二维电子的面内有效质量和量子寿命的确定