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机译:高温寿命试验下AlGaN / GaN HEMT的降解
Northrop Grumman Space Technology, One Space Park, Redondo Beach, CA 90278, USA;
机译:HTRB寿命测试在不同电压和温度应力下对AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:AlGaN / GaN-HEMT太赫兹探测器在高温下的响应度和噪声特性
机译:具有多种降解机理的GaN HEMT的寿命测试
机译:0.25μmAlGaN / GaN HEMT在高温寿命测试下的可靠性研究
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:高温关断对AlGaN / GaN Hemts降解的影响