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王冲; 张进城; 郝跃; 杨燕;
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
AlGaN/GaN; 高电子迁移率晶体管; 热电子; 电子陷阱;
机译:AlGaN / GaN HEMT的高场应力,低频噪声和长期可靠性
机译:施加偏压和高场应力对GaN / AlGaN HEMT辐射响应的影响
机译:高场应力下表面陷阱对钝化AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:使用在X波段具有5W / mm功率密度的深紫外光刻技术在带有倾斜场板的硅基板上制造AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:低温下栅极脉冲应力下alGaN / GaN HEmT退化的研究
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模(后印刷)。
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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