一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件

摘要

一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，源极、漏极、栅极延伸至势垒层，栅极位于源极和漏极之间；势垒层上且位于栅极和漏极之间设置有凹槽双场板；缓冲层由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×1015cm‑3；势垒层由厚度为20nm的AlGaN组成，摻杂浓度为1×1017cm‑3；钝化层由厚度为50nm的Si3N4组成。栅极、源极及漏极的长度均为0.5μm；凹槽双场板结构长度Lfp1为0.3μm、Lfp2为0.7μm、场板下钝化层厚度H+Hfp1为10nm、Hfp2为20nm，该凹槽由Si3N4材料填充，本发明使得电场峰值减小，电流崩塌得以改善，同时器件最终输出饱和漏电流不会大幅降低。