Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois;
threshold sputtering; EUV reflectivity; Sn implantation; Sn deposition; EUV collector optics; ion scattering spectroscopy;
机译:氙轰击对钌涂层掠入射入射收集器镜寿命的影响,用于极端紫外光刻
机译:带有超导块状磁体的磁控溅射设备沉积的用于EUV光刻的Mo / Si多层膜的反射特性
机译:Euv暴露和碳污染导致入射入射Euv镜的反射率降低
机译:带电粒子轰击对EUV光刻器件收集器镜反射率的影响
机译:由温度和浓度梯度驱动的吉布斯偏析合金:EUV光刻中潜在的掠射收集器光学器件。
机译:主要小酸溶性孢子蛋白和特定的和通用的DNA修复机制在枯草芽孢杆菌孢子对X射线和高能带电粒子轰击电离辐射的抵抗中的作用
机译:EUV光刻技术,用于半导体器件的大批量生产
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。