Physics Department, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109;
Department of Electrical Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond VA 23284;
WaveBand/Sierra Nevada Corporation, 15245 Alton Parkway, Suite 100, Irvine, CA 92618;
GaN heterostructures; spin-orbit interaction; weak antilocalization; two-dimensional electron gas; phase coherence time; bulk inversion asymmetry; structural inversion asymmetry; rashba effect; spintronics;
机译:用极化诱导的二维电子气测量AlGaN / AlN / GaN异质结构中的线性和立方自旋轨道耦合参数
机译:二维电子气的AlN / GaN / AlGaN和AlN / GaN / InAlN异质结构的参数对其电性能和晶体管特性的影响
机译:高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较
机译:Algan / Aln / GaN异质结构中的旋转轨道耦合和零场电子旋转分裂,具有极化的二维电子气体
机译:电和热感应物理缺陷对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性的影响。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:弱无定域和零场电子自旋分裂 alGaN / alN / GaN异质结构具有极化诱导的二维结构 电子气
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。