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薛丽君; 刘明; 王燕; 夏洋; 陈宝钦;
中国科学院微电子研究所;
清华大学微电子研究所;
AIGaN/GaN; 异质结; 极化; 二维电子气; 2DEG;
机译:在GaN基板上具有重新生长的AlGaN / GaN二维电子气通道的新型垂直异质结场效应晶体管
机译:AlGaN / GaN异质结处二维电子气的起源及其对凹栅金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的影响
机译:GaN / AlGaN异质结中退化二维电子气的光致发光研究
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:弱无定域和零场电子自旋分裂 alGaN / alN / GaN异质结构具有极化诱导的二维结构 电子气
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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