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范隆; 李培咸; 郝跃;
西安电子科技大学微电子所;
A1GaN/GaN异质结; 辐射; 界面态电荷; 二维电子气; 迁移率;
机译:AlGaN / GaN异质结处的分布表面施主态和二维电子气
机译:等离子体增强原子层沉积AIN钝化对AlGaN / GaN异质结构中二维电子气输运行为的影响
机译:AlGaN / GaN异质结处二维电子气的起源及其对凹栅金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构中自发和压电极化引起的二维电子气的输运性质
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:GaN / AlGaN核/壳纳米线中对异质结电子气体的纳米尺度效应
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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