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冀东; 郭玫; 周池; 钱成; 张禹可;
北京市教委;
北京交通大学;
半导体材料; 氮化镓; 异质结; 二维电子气; 输运性质;
机译:AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的电输运性质的理论研究
机译:等离子体增强原子层沉积AIN钝化对AlGaN / GaN异质结构中二维电子气输运行为的影响
机译:AlGaN / AIN / GaN异质结构中二维电子气的磁输运性质
机译:GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋特性
机译:半导体异质结中二维电子气的电学特性及器件应用研究
机译:GaN / AlGaN核/壳纳米线中对异质结电子气体的纳米尺度效应
机译:清晰界面AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的室温迁移率高于2200 cm2 / V.s
机译:mIs(金属 - 绝缘体 - 半导体)反转/累积层,异质结和量子阱中二维受限载流子的电子性质研究。
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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