掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices
Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
MBE Growth of Cubic InN
机译:
Cube Cubic Inn的成长
作者:
Jorg Schormann
;
Donat Josef As
;
Klaus Lischka
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
2.
High Resolution Transmission Electron Microscopy Study of Thermal Oxidation of Single Crystalline Aluminum Nitride
机译:
高分辨率透射电子显微镜测量单晶氮化铝的热氧化
作者:
Jharna Chaudhuri
;
Rac Gyu Lee
;
Luke Owuor Nyakiti
;
Zheng Gu
;
James H. Edgar
;
Peng Li
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
3.
Localisation of Excitation in InGaN Epilayers and Quantum wells
机译:
IngaN癫痫术和量子阱激发的定位
作者:
Kevin Peter ODonnell
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
4.
Optical Properties of Undoped, n-Doped and p-Doped GaN/AlN Superlattices
机译:
未掺杂,n掺杂和p掺杂GaN / Aln Supertrices的光学性质
作者:
Plamen Paskov
;
Bo Monemar
;
Satoshi Kamyiama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
5.
ESTIMATION OF JUNCTION TEMPERATURE IN OPERATING LIGHT EMITTING DIODES
机译:
操作发光二极管中的结温估计
作者:
Shahrukh Sakhawat
;
Arindra N. Guha
;
Okechukwu Akpa
;
Ping Z. Hagler
;
Dake Wang
;
Minseo Park
;
Kalyankumar Das
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
6.
Ultraviolet light emitting diodes using non-polar A-plane AlGaN multiple quantum wells
机译:
使用非极性A平面ALGAN多量子孔的紫外发光二极管
作者:
Ramya Chandrasekaran
;
Anirban Bhattacharyya
;
Ryan France
;
Christos Thomidis
;
Adrian Williams
;
Theodore Moustakas
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
7.
Vertically Increasing Well Thickness and In Content in GaInN MQW's due to V-shaped Pits
机译:
由于V形凹坑,垂直增加厚度厚度和Gainn MQW中的内容
作者:
H. Bremers
;
L. Hoffmann
;
D. Fuhrmann
;
U. Rossow
;
A. Hangleiter
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
8.
Preparation of High Conductive Cubic Boron Nitride Thin Films by in-situ zinc Doping
机译:
用原位锌掺杂制备高导电立方硼氮化物薄膜
作者:
Kenji Nose
;
Toyonobu Yoshida
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
9.
Experimental Analysis of the Spontaneous Polarization Field in GaN by UHV-cathodoluminescence
机译:
UHV - 阴极致发光GaN中自发极化场的实验分析
作者:
Martina Finke
;
Daniel Fuhrmann
;
Uwe Rossow
;
Andreas Hangleiter
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
10.
Optical Properties of Nearly Lattice-matched AlInN/GaN Single Quantum Wells with Varying Well-widths
机译:
几乎格栅匹配的alinn / GaN单量子孔的光学性质,具有不同的井宽宽度
作者:
Lay-Theng Tan
;
Robert W. Martin
;
Ian M. Watson
;
Kevin P. ODonnell
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
11.
Defect reduction in (11-20) a-plane GaN by two-step epitaxial lateral overgrowth
机译:
通过两步外延横向过度生长的(11-20)A平面GaN的缺陷减少
作者:
X. Ni
;
U. Ozgur
;
Y. Fu
;
N. Biyikli
;
H. Morkoc
;
Z. Liliental-Weber
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
12.
Schottky I-V Characteristics of Au/Ni/GaN/SiN{sub}x Nanonetwork/Sapphire Structures
机译:
肖特基I-V AU / NI / GAN / SIN {SUB} X NANONETWORK / SAPPHIRE结构的特征
作者:
Jinqiao Xie
;
Yi Fu
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
13.
Influence of Growth Conditions on Phase Separation of InGaN Bulk Material Grown by MOCVD
机译:
生长条件对MOCVD种植的INGAN散装材料相分离的影响
作者:
Yong Huang
;
Omkar Jani
;
Eun Hyun Park
;
Ian Ferguson
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
14.
Characterization of GaN/Si Using Capacitance Spectroscopies
机译:
使用电容谱表征GaN / Si
作者:
Steven R. Smith
;
John C. Roberts
;
P. Rajagopal
;
J. W. Cook
;
E. L. Piner
;
K. J. Linthicum
;
Said Elhamri
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
15.
Low-voltage Avalanche Breakdown in AlGaN Multi-quantum Wells
机译:
AlGaN多量子孔中的低压雪崩击穿
作者:
Shengkun Zhang
;
X. Zhou
;
Wubao Wang
;
R. R. Alfano
;
A. M. Dabiran
;
A. Osinky
;
A. M. Wowchak
;
B. Hertog
;
C. Plaut
;
P. P. Chow
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
16.
Persistent Photoconductivity in High-mobility Al{sub}xGa{sub}(1-x)N/AlN/GaN Heterostructures Grown by Metal-organic Vapor-phase Epitaxy
机译:
通过金属 - 有机气相外延生长的高迁移率Al {Sub} XGA {Sub}(1-x)N / AlN / GaN异质结构中的持续光电导性
作者:
Necmi Biyikli
;
Umit Ozgur
;
Xianfeng Ni
;
Yi Fu
;
Hadis Morkoc
;
Cagliyan Kurdak
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
17.
Electrical Properties, Deep Levels Spectra and Luminescence of Undoped GaN/InGaN Multi-quantum-well Structures as Affected by Electron Irradiation
机译:
由电子照射影响的未掺杂GaN / IngaN的多量子井结构的电性能,深度水平光谱和发光
作者:
Alexander Y. Polyakov
;
Nikolai B. Smirnov
;
Anatoliy V. Govorkov
;
Alexander V. Markov
;
Cheul-Ro Lee
;
In-Hwan Lee
;
Nikolai G. Kolin
;
Denis I. Merkurisov
;
Vladimir M. Boiko
;
James S. Wright
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
18.
Strain-free Low-defect-density Bulk GaN with Nonpolar Orientations
机译:
没有非极性取向的无应变低缺陷密度散装GaN
作者:
Tanya Paskova
;
Plamen P. Paskov
;
Vanya Darakchieva
;
Roland Kroeger
;
Detlef Hommel
;
Bo Monemar
;
Sebastian Lourdudoss
;
Edward Preble
;
Andrew Hanser
;
Mark N. Williams
;
Michael Tutor
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
19.
Structural Defects in Laterally Overgrown GaN Layers Grown on Non-polar Substrates
机译:
非极性基板上生长的横向长期GaN层的结构缺陷
作者:
Zuzanna Liliental-Weber
;
X. Ni
;
H. Morkoc
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
20.
Defects in Electron and Neutron Irradiated n-GaN: Disordered Regions Versus Point Defects
机译:
电子和中子的缺陷辐照N-GaN:紊乱的区域与点缺陷
作者:
Alexander Y Polyakov
;
Nikolai B. Smirnov
;
Anatoliy V. Govorkov
;
Alexander V. Markov
;
Cheul-Ro Lee
;
In-Hwan Lee
;
Nikolai G. Kolin
;
Denis I. Merkurisov
;
Vladimir M. Boiko
;
James S. Wright
;
Stephen J. Pearton
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
21.
AlGaN/GaN-sensors for Monitoring of Enzyme Activity by pH-Measurements
机译:
AlGaN / GaN传感器通过pH测量监测酶活性
作者:
Gabriel Kittler
;
Armin Spitznas
;
Benedikt Luebbers
;
Vadim Lebedev
;
Dennis Wegener
;
Michael Gebinoga
;
Frank Weise
;
Andreas Schober
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
22.
Development of Aluminum Nitride/Platinum Stack Structures for an Enhanced Piezoelectric Response
机译:
氮化铝/铂叠层结构的开发,用于增强压电响应
作者:
Adam Kabulski
;
John Harman
;
Parviz Famouri
;
Dimitris Korakakis
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
23.
Electroreflectance Spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-Heterostructures
机译:
InGaN / AlGaN / GaN P-N-异质结构的电气反射光谱
作者:
Alexander E. Yunovich
;
Lev Avakyants
;
Mansur Badgutdinov
;
Pavel Bokov
;
Anatoly Chervyakov
;
Stanislav Shirokov
;
Elena Vasileva
;
Anatoly Feopentov
;
Fedor Snegov
;
Dmitry Bauman
;
Boris Yavich
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
24.
Spin-Orbit Coupling and Zero-Field Electron Spin Splitting in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures with a Polarization Induced Two-Dimensional Electron Gas
机译:
Algan / Aln / GaN异质结构中的旋转轨道耦合和零场电子旋转分裂,具有极化的二维电子气体
作者:
C. Kurdak
;
N. Biyikli
;
H. Cheng
;
U. Ozgur
;
H. Morkoc
;
V. I. Litvinov
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
25.
Photoluminescence, Capacitance-Voltage, and Variable Field Hall Effect Measurements of Mg-Doped InN
机译:
Mg-Doped Inn的光致发光,电容电压和可变场霍姆效应测量
作者:
Craig H. Swartz
;
Steven M. Durbin
;
Roger J. Reeves
;
Katherine Prince
;
John V. Kennedy
;
Sandeep Chandril
;
Thomas H. Myers
;
Damian Carder
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
26.
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Si/SiO{sub}2/poly-SiC Substrates
机译:
Si / SiO {Sub} 2 / Poly-SiC基板上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
作者:
Travis Anderson
;
Fan Ren
;
Lars Voss
;
Mark Hlad
;
Brent P. Gila
;
Stephen Pearton
;
Lance Covert
;
Jenshan Lin
;
Julien Thuret
;
H. Lahreche
;
P. Bove
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
27.
Blue-green-red LEDs based on InGaN Quantum Dots by Plasma-assisted MBE using GaN QDs for Dislocation Filtering
机译:
基于IngaN量子点的蓝绿 - 红色LED通过等离子体辅助MBE使用GaN QD进行脱位滤波
作者:
Tao Xu
;
Alexey Yu Nikiforov
;
Ryan France
;
Christos Thomidis
;
Adrian Williams
;
Theodore D. Moustakas
;
Lin Zhou
;
David J. Smith
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
28.
Titanium Nitride Epitaxy on Tungsten (100) by Sublimation Crystal Growth
机译:
通过升华晶体生长对钨(100)的氮化钛外延
作者:
Lisa Mercurio
;
James H. Edgar
;
Li Du
;
E. A. Kenik
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
29.
Study of Defects in p-type Layers in III-nitride Laser Diode Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延生长的III-氮化物激光二极管结构中p型层缺陷研究
作者:
Huixin Xiu
;
Pedro M. F. J. Costa
;
Matthias Kauer
;
Tim M. Smeeton
;
Stewart E. Hooper
;
Jonathan Heffernan
;
Colin J. Humphreys
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
30.
Deep centers in GaN layers grown on epitaxial lateral overgrowth templates by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属化学气相沉积在外延横向过度生长模板上生长的GaN层中的深部中心
作者:
S. A. Chevtchenko
;
J. Xie
;
Y. Fu
;
X. Ni
;
H. Morkoc
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
31.
Resonant Energy Transfer due to Exciton Coupling in Hybrid Persovskites Conjugated to GaN Semiconductors
机译:
由于杂交渗透剂的激子偶联引起的共振能量转移与GaN半导体缀合
作者:
Jianyou Li
;
Arup Neogi
;
Teruya Ishihara
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
32.
Ultrathin AlN/GaN Heterojunctions by MBE for THz Applications
机译:
MBE用于THZ应用的超薄ALN / GAN异质条件
作者:
Yu Cao
;
Debdeep Jena
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
33.
Recessed Gate Processing for GaN/AlGaN-HEMTs
机译:
GaN / Algh-Hemts的嵌入式栅极加工
作者:
Wilfried Pletschen
;
Rudolf Kiefer
;
Brian Raynor
;
Stefan Mueller
;
Foud Benkhelifa
;
Ruediger Quay
;
Michael Mikulla
;
Michael Schlechtweg
;
Guenter Weimann
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
34.
Piezoelectric Fields in Tilted GaInN Quantum Wells
机译:
倾斜增益量子井中的压电场
作者:
Martin Feneberg
;
Frank Lipski
;
Rolf Sauer
;
Klaus Thonke
;
Thomas Wunderer
;
Peter Bruckner
;
Ferdinand Scholz
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
35.
Investigation of Electrical Properties in Si Ion Implanted GaN Layer as A Function of Dose and Energy
机译:
作为剂量和能量函数的Si离子注入GaN层电性能研究
作者:
Masataka Satoh
;
T. Saitoh
;
K. Nomoto
;
T. Nakamura
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
36.
Evaluation on Crystal and Optical Properties of AlN:Er Prepared by RF magnetron sputtering method
机译:
射频晶体溅射法制备AlN晶体和光学性质评价
作者:
Shin-ichiro Uekusa
;
Takahiko Ohno
;
Tomoyuki Aral
;
Hiroshi Miura
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
37.
Compound-source Molecular Beam Epitaxy of GaN on Si at Low Temperature Using GaN Powder and Ammonia as Sources
机译:
使用GaN粉末和氨作为源的低温GaN对Si的复方源分子束外延
作者:
Tohru Honda
;
Masaru Sawada
;
Hiromi Yamamoto
;
Masashi Sawadaishi
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
38.
Influence of Overheating Effect on Transport Properties of AlGaN/GaN Heterostructures
机译:
过热影响对AlGaN / GaN异质结构运输性能的影响
作者:
Andriy Kurakin
;
Svetlana Vitusevich
;
Mykhailo Petrychuk
;
Hilde Hardtdegen
;
Serhiy Danylyuk
;
Alexander Belyaev
;
Norbert Klein
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
39.
Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current
机译:
具有极低栅极漏电流的离子植入的GaN / AlGaN / GaN Hemts
作者:
Kazuki Nomoto
;
Taku Tajima
;
Tomoyoshi Mishima
;
Masataka Satoh
;
Tohru Nakamura
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
40.
Erbium-doped GaN epilayers synthesized by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
由金属 - 有机化学气相沉积合成的铒掺杂GaN倒置器
作者:
C. Ugolini
;
N. Nepal
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
41.
Epitaxial Growth of ZrO{sup}2 on GaN by MOMBE for High Dielectric Material Applications
机译:
MOMBE对高介电材料应用的GaN上的ZrO {Sup} 2的外延生长
作者:
Xing Gu
;
Jinqiao Xie
;
Serguei Chevtchenko
;
Natalia Izyumskaya
;
Vataliy Avrutin
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
42.
Investigation of Optical Properties of Nitrogen Incorporated Sb based Quantum Well and Quantum Dots for Infrared Sensors Application
机译:
氮的光学性能研究基于SB的量子阱和红外传感器的量子点应用
作者:
Seongsin M. Kim
;
Homan B. Yuen
;
Fariba Hatami
;
Akihiro Moto
;
Alan Chin
;
James S. Harris
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
43.
High Temperature MOVPE Growth of Al{sub}xGa{sub}(1-x)N (0.2-1) Layers on Sapphire and SiC Substrates for the Fabrication Deep UV Optical Devices
机译:
用于制造深紫外光学装置的蓝宝石和SiC基板上的Al {Sub XGA {sub}(0.2-1)层的高温MOVPE生长
作者:
Balakrishnan Krishnan
;
Masataka Imura
;
Kazuyoshi Iida
;
Kentaro Nagamatsu
;
Hiroki Sugimura
;
Tetsuya Nagai
;
Takafumi Sumii
;
Fumiaki Mori
;
Akira Bandoh
;
Motoaki Iwaya
;
Satoshi Kamiyama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
44.
Fully Unstrained GaN on Thick AlN Layers for MEMS Application
机译:
MEMS应用程序的厚ALN层完全没有受到的GAN
作者:
Katja Tonisch
;
Florentina Niebelschuetz
;
Volker Cimalla
;
Henry Romanus
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
45.
Nanoparticle-loaded encapsulation materials for light-emitting diode applications
机译:
用于发光二极管应用的纳米粒子加载封装材料
作者:
F. W. Mont
;
H. Luo
;
M. F. Schubert
;
J. K. Kim
;
E. F. Schubert
;
R. W. Siegel
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
46.
Electroluminescence from Single 3D GaN Nanowire Grown by Self-Catalytic Molecular Beam Epitaxy
机译:
通过自催化分子束外延生长的单3D GaN纳米线的电致发光
作者:
C. E. Kendrick
;
R. Tilley
;
M. Kobayashi
;
R. J. Reeves
;
S. M. Durbin
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
47.
Traps in Si-doped Al{sub}xGa{sub}(1-x)N Grown by Molecular Beam Epitaxy on Sapphire Characterized by Deep Level Transient Spectroscopy
机译:
在SAPPHIRE上的分子束外延生长的Si-掺杂Al {Sub} XGA {sub}(1-x)n中的陷阱,其特征在于深度水平瞬态光谱
作者:
Mo Ahoujja
;
S Elhamri
;
M Hogsed
;
Y. K. Yeo
;
R. L. Hengehold
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
48.
Recombination dynamics in ultraviolet light-emitting diodes with Si-doped Al{sub}xGa{sub}(1-x)N/Al{sub}yGa{sub}(1-y)N multiple quantum well active regions
机译:
紫外线发光二极管中的重组动力学与Si-掺杂Al {Sub} xGa {sub}(1-x)n / al {sub} yga {sub}(1-y)n多量子阱有源区
作者:
K. X. Chen
;
Y. A. Xi
;
F. W. Mont
;
J. K. Kim
;
E. F. Schubert
;
X. Li
;
W. Liu
;
J. A. Smart
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
49.
GaAsN Thin Film Growth by Chemical Beam Epitaxy with Source Gas Flow Rate Modulation
机译:
通过化学束外延的Gaasn薄膜生长,源气流速率调制
作者:
Yoshio Ohshita
;
Kenji Saito
;
Kenichi Nishimura
;
Toshihide Suzuki
;
Masafumi Yamaguchi
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
50.
Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE
机译:
通过ECR-MBE定位控制的纳米点纳米点生长
作者:
Taihei Yamaguchi
;
Tsutomu Araki
;
Hiroyuki Naoi
;
Yasushi Nanishi
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
51.
Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE
机译:
Mg-Doped N-Polar Inn由RF-MBE成长
作者:
Daisuke Muto
;
Hiroyuki Naoi
;
Shinya Takado
;
Hyunseok Na
;
Tsutomu Araki
;
Yasushi Nanishi
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
52.
Optical Transmission Measurements on MOCVD Grown GaMnN Films on Sapphire
机译:
在蓝宝石上MOCVD种植Gamnn电影的光传输测量
作者:
Fevzi Erdem Arkun
;
Nadia A. El-Masry
;
John Muth
;
Xiyao Zhang
;
Amr Mahrouse
;
John Zavada
;
Salah M. Bedair
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
53.
Al rich AlN/AlGaN Quantum Wells
机译:
Al Rich Aln / Algan量子井
作者:
Talal Mohammad Al Tahtamouni
;
Neeraj Nepal
;
Jingyu Lin
;
Hongxing Jiang
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
54.
Magnetic and Optical Properties of Eu-doped GaN
机译:
欧盟掺杂GaN的磁性和光学性质
作者:
Jennifer Hite
;
G. T. Thaler
;
J. H. Park
;
A. J. Steckl
;
C. R. Abernathy
;
J. M. Zavada
;
Stephen Pearton
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
55.
Low-dislocation-density Nonpolar AlN Grown on 4H-SiC (11-20) Substrates
机译:
在4H-SIC(11-20)基板上生长的低位脱位密度非极性ALN
作者:
Jun Suda
;
Masahiro Horita
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
56.
Comparison of the Incorporation of Various Transition Metals into GaN by MOCVD
机译:
通过MOCVD将各种过渡金属掺入GaN的比较
作者:
Matthew H. Kane
;
William Fenwick
;
Nola Li
;
Shalini Gupta
;
Eun Hyun Park
;
Ian T. Ferguson
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
57.
Investigation of the Optical Properties of epitaxial-lateral-overgrown GaN on R- and M- plane Sapphire
机译:
对r-和M平面蓝宝石的外延 - 横向覆盖GaN的光学特性研究
作者:
Tobias Guhne
;
Zahia Bougrioua
;
Martin Albrecht
;
Phillippe Vennegues
;
Mathieu Leroux
;
Marguerite Laugt
;
Sosse Ndiaye
;
Monique Teisseire
;
Luan Nguyen
;
Pierre Gibart
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
58.
Properties of Ferromagnetic GaGdN
机译:
铁磁性Gagdn的性质
作者:
J. K. Hite
;
R. P. Davies
;
R. M. Frazier
;
G. T. Thaler
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
59.
Photoluminescence from Gd-implanted AlN and GaN Epilayers
机译:
来自GD植入的Aln和GaN癫痫的光致发光
作者:
John M. Zavada
;
Neeraj Nepal
;
J. Lin
;
K. H. Kim
;
H. X. Jiang
;
J. Hite
;
G. T. Thaler
;
R. M. Frazier
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
60.
Growth and Polarity Control of GaN and AlN on Carbon-face SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
金属机气相外延碳脸SiC对GaN和AlN的生长和极性控制
作者:
Yi Fu
;
Xianfeng Ni
;
Jingqiao Xie
;
N Biyikli
;
Qian Fan
;
S Chevtchenko
;
U. Ozgur
;
Hadis Morkoc
;
You Ke
;
Robert Devaty
;
W. J. Choyke
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
61.
Details of the improvement of crystalline quality of a-plane GaN using one-step lateral growth
机译:
使用一步横向生长改善A平面GaN的晶体质量的细节
作者:
Daisuke Iida
;
Tetsuya Nagai
;
Takeshi Kawashima
;
Aya Miura
;
Yoshizane Okadome
;
Yosuke Tsuchiya
;
Motoaki Iwaya
;
Satoshi Kamiyama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
62.
500K operation AlGaN/GaN HFETs with a large current and a high breakdown voltage
机译:
500K操作AlGaN / GaN HFET具有大电流和高击穿电压
作者:
Hiroshi Kambayashi
;
Jiang Li
;
Nariaki Ikeda
;
Seikoh Yoshida
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
63.
Electronic Properties and Stability of Artificial In-N Molecules
机译:
人工IN-N分子的电子性质和稳定性
作者:
Liudmila A. Pozhar
;
William C. Mitchel
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
64.
The Structural and Optical Properties of Self-assembled InGaN/GaN Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延生长的自组装Ingan / GaN量子点的结构和光学性能
作者:
Tim M. Smeeton
;
Mathieu Series
;
Katherine L. Smith
;
Stewart E. Hooper
;
Jon Heffernan
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
65.
Spinodal Decomposition and Super-Paramagnetism in Dilute Magnetic Nitride Semiconductors
机译:
稀磁性氮化物半导体中的旋转晶岩分解和超级辅助性
作者:
Kazunori Sato
;
Tetsuya Fukushima
;
Hiroshi Katayama-Yoshida
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
66.
Investigation of The Electrical and Chemical Properties of Plasma-Treated AlGaN
机译:
调查血浆治疗AlGAN的电气和化学性质
作者:
X. A. Cao
;
H. Piao
;
S. F. LeBoeuf
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
67.
Growth and characterization of semi-polar (11-22) GaN with in-situ SiN{sub}x interlayers
机译:
半极性(11-22)GaN的生长和表征与原位SIN {sub} x中间层
作者:
Jonathan Hollander
;
Clifford McAleese
;
Menno Kappers
;
Colin Humphreys
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
68.
A Study of Defects and Surface Properties in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Grown by MOCVD on Semi-Insulating SiC Substrates
机译:
MOCVD在半绝缘SIC基板上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的缺陷和表面性能研究
作者:
Yongkun Sin
;
Hyun I. Kim
;
Paul Adams
;
Gary Stupian
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
69.
Fabrication of AlGaN/GaN HFET with a High Breakdown Voltage on 4-inch Si (111) Substrate by MOVPE
机译:
通过MOVPE在4英寸Si(111)衬底上具有高击穿电压的AlGaN / GaN HFET的制造
作者:
Yuki Niiyama
;
Sadahiro Kato
;
Yoshihiro Sato
;
Masayuki Iwami
;
Jiang Li
;
Hironari Takehara
;
Hiroshi Kambayashi
;
Nariaki Ikeda
;
Seikoh Yoshida
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
70.
Characterization of Non-Polar Surfaces in HVPE Grown Gallium Nitride
机译:
HVPE生长氮化镓中非极性表面的表征
作者:
Kun-Yu (Alvin) Lai
;
Judith A. Grenko
;
V. D. Wheeler
;
Mark Johnson
;
E. A. Preble
;
N. Mark Williams
;
A. D. Hanser
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
71.
The Influence of Device Structure on High-electric-field Effects and Reliability of AlGaN/GaN HFETs
机译:
器件结构对AlGaN / GaN HFET的高电场效应和可靠性的影响
作者:
Weiwei Kuang
;
Robert J. Trew
;
Griff L. Bilbro
;
Yueying Liu
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
72.
Comparison between the Photoluminescence Mappings Under Selective and Non-selective Excitation and the Electroluminescence Mappings of the Epitaxial Wafers with InGaN-LED Structure
机译:
用InGaN-LED结构的选择性和非选择性激发和外延晶片的电致发光映射的光致发光映射与外延结构的比较
作者:
Kazuyuki Tadatomo
;
Osamu Shimoike
;
Hiromichi Noda
;
Masahiro Hiraoka
;
Kazumasa Yoshimura
;
Katsuyuki Hoshino
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
73.
Investigation of Low Angle Grain Boundaries in Hexagonal Silicon Carbide
机译:
六边形碳化硅低角度晶界的研究
作者:
Yi Chen
;
Hui Chen
;
Ning Zhang
;
Michael Dudley
;
Ronghui Ma
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
74.
Phonon Decay in GaN and AlN and Self-Heating in III-N Devices
机译:
在GaN和ALN中的声子衰减以及III-N设备的自热
作者:
M. Holtz
;
D. Y. Song
;
S. A. Nikishin
;
V. Soukhoveev
;
A. Usikov
;
V. Dmitriev
;
E. Mokhov
;
U. Makarov
;
H. Helava
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
75.
Thermodynamic Analysis of Impurities in the Sublimation Growth of AlN Single Crystals
机译:
ALN单晶升华生长中杂质的热力学分析
作者:
Li Du
;
James H. Edgar
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
76.
Fabrication and Characterization of 2-inch diameter AlN Single-Crystal Wafers cut From Bulk Crystals
机译:
从散装晶体中切割2英寸直径Aln单晶晶片的制造和表征
作者:
Robert T. Bondokov
;
Kenneth E. Morgan
;
Glen A. Slack
;
Leo J. Schowalter
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
77.
Wet Etching of Bulk AlN Crystals
机译:
散墨晶体的湿法蚀刻
作者:
Dejin Zhuang
;
Ziad G. Herro
;
Xianglin Li
;
Raoul Schlesser
;
Zlatko Sitar
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
78.
Gadolinium and Oxygen co-doping of Gallium Nitride: an LSDA + U study
机译:
钆和氧共掺杂氮化镓:LSDA + U学习
作者:
Walter R. L. Lambrecht
;
Paul Larson
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
79.
Low-Temperature Cathodoluminescence Mapping of Green, Blue, and UV GaInN/GaN LED Dies
机译:
绿色,蓝色和UV Gainn / GaN LED模具的低温阴极发光映射
作者:
Yong Xia
;
Theeradetch Detchprohm
;
Jayantha Senawiratne
;
Yufeng Li
;
Wei Zhao
;
Mingwei Zhu
;
Christian Wetzel
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
80.
Selective Area Growth of GaN Nano Islands by Metal Organic Chemical Vapor Deposition: Experiments and Computer Simulations
机译:
金属有机化学气相沉积GaN纳米岛的选择性地区生长:实验和计算机模拟
作者:
Anilkumar Chandolu
;
Gela D. Kipshidze
;
Sergey A. Nikishin
;
Lu Tian
;
Song Daoying
;
Mark Holtz
;
Anya Lobanova
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
81.
Bulk AlN Crystal Growth on SiC Seeds and Defects Study
机译:
SiC种子和缺陷研究中的散装Aln水晶生长
作者:
P. Lu
;
J. H. Edgar
;
C. Cao
;
K. Hohn
;
R. Dalmau
;
R. Schlesser
;
Z. Sitar
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
82.
Effects of Surface Treatments on Optical Properties of GaN
机译:
表面处理对GaN光学性质的影响
作者:
Gakuyo Fujimoto
;
Katsushi Fujii
;
Tsutomu Minegishi
;
Hiroki Goto
;
Takenari Goto
;
Takafumi Yao
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
83.
Properties of InN layers grown by High Pressure CVD
机译:
高压CVD种植的Inn层的性质
作者:
Mustafa Alevli
;
Goksel Durkaya
;
Ronny Kirste
;
Aruna Weesekara
;
Unil Perera
;
William Fenwick
;
Vincent Woods
;
Ian T. Ferguson
;
Axel Hoffmann
;
Nikolaus Dietz
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
84.
Design and Optimization of GaN-based Semiconductor Saturable Absorber Mirror Operating at Around 415nm
机译:
在415nm左右运行的GaN基半导体可饱和吸收镜的设计与优化
作者:
Fen LIN
;
Ning XIANG
;
Xin Cai WANG
;
Jesudoss AROKIARAJ
;
Wei LIU
;
Hong Fei LIU
;
Soo Jin CHUA
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
85.
Electrical Characterization of GaN Based Ultraviolet and Blue Light Emitting Diodes
机译:
基于GaN的紫外线和蓝色发光二极管的电学特性
作者:
Alphonse-Marie Kamto Tegueu
;
Okechukwu Akpa
;
Arindra Guha
;
Kalyankumar Das
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
86.
Electrical Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization With AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
用AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管脱氧核糖核酸杂交的电气检测
作者:
B. S. Kang
;
S. J. Pearton
;
J. J. Chen
;
F. Ren
;
J. W. Johnson
;
R. J. Therrien
;
P. Rajagopal
;
J. C. Roberts
;
E. L. Piner
;
K. J. Linthicum
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
87.
Fabrication of high-performance photodetector based on AlGaN/GaN hetero-field-effect transistors with p-GaN gate
机译:
基于AlGaN / GaN杂场效应晶体管的高性能光电探测器用P-GaN栅极的制造
作者:
Shuichi Miura
;
Takahiro Fujii
;
Motoaki Iwaya
;
Satoshi Kamiyama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
会议名称:
《Materials Research Society Symposium on Advances in III-V Nitride Semiconductor Materials and Devices》
|
2006年
意见反馈
回到顶部
回到首页