机译:通过纳米异质外延在牺牲AlN层上完全无应变的GaN
机译:新型HVPE技术可生长纳米厚度的GaN,AlN,AlGaN层和多层结构
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:MEMS应用程序的厚ALN层完全没有受到的GAN
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响